| 研究課題/領域番号 |
21540361
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 大阪大学 (2011)
岡山大学 (2009-2010) |
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研究代表者 |
花咲 徳亮 大阪大学, 理学研究科, 教授 (70292761)
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| 連携研究者 |
野上 由夫 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (10202251)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 巨大磁気抵抗 / 分子性物質 / 電荷秩序 / フタロシアニン / 電荷不均一性 |
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| 研究概要 |
フタロシアニン分子系伝導体では、巨大磁気抵抗が観測される。この磁気抵抗のメカニズムを解明するため、強磁場中における高精度X線回折を行った。波数4k_FのX線散漫散乱が低温で観測されるが、磁場印加によって強度が弱くなる事を見出した。この散漫散乱が電荷秩序に起因するものならば、電荷秩序の磁場中融解が巨大磁気抵抗の原因であると考えられる。
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