研究課題
基盤研究(C)
β-US_2 は、低温で狭いギャップを持つ半導体である。そのギャップは磁場や圧力などの外場に極めて敏感であり、7 T の磁場、または8 GPa 程度の圧力で電気抵抗値が6-8 桁程度減少するという大きな磁気抵抗効果を持つ。このβ-US_2 について大型の純良単結晶育成を行った。この単結晶を用いて、中性子散乱や高圧下や高磁場下における磁化率、電気抵抗測定などを詳細に行い、その磁気抵抗効果の性質を明らかにした。
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Journal of the Physical Society of Japan, Supplement
巻: 80 号: Suppl.A ページ: SA103-SA103
10.1143/jpsjs.80sa.sa103
巻: 80 号: Suppl.A ページ: SA104-SA104
10.1143/jpsjs.80sa.sa104
Series: Materials Science and Engineering
巻: Vol. 9
IOP Conf.Series : Materials Science and Engineering
巻: Vol.9
Journal of the Physical Society of Japan
巻: Vol.78 ページ: 114704-114704
J.Phys.Soc.Jpn. 78
ページ: 114704-114704