研究概要 |
電子・振動・回転状態を考慮した分子衝突輻射モデルを構築した。準位は、n, v,Λ, N, J で区別し、n=6 以下の計 4133 の状態を考慮した。A 係数および電子衝突励起速度係数などの素過程データを調査し、モデルに組み込んだ。信州大の RF プラズマで観測される可視域(380nm-800nm)水素分子発光線を解析したところ、b^3Σ_u^+ に遷移する連続光、および 560 nm から 640 nm の波長域で観測されるd^3Π_u -a^3Σ_g^+、j^3Δ_g- c^3Π_u、i^3Π_g- c^3Π_uの発光線の強度は、計算によりよく再現された。これらの発光線強度から、振動・回転温度や電子温度・密度の算出が可能であることが示された。
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