| 研究課題/領域番号 |
21550056
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
無機化学
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
河野 泰朗 東京大学, 大学院・総合文化研究科, 助教 (10262099)
|
|---|
| 連携研究者 |
下井 守 (30092240)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
|
|---|
| キーワード | 遷移金属錯体 / ホウ素 / 触媒 / 光化学反応 / ボラン / 脱水素反応 / 金属錯体化学 / 脱水素カップリング / シグマ錯体 / 密度汎関数法 |
|---|
| 研究概要 |
遷移金属.ボランシグマ錯体を中間体とするホウ素化合物の脱水素カップリング反応について検討を行った。その結果(1)中心金属の電子密度の高いハーフサンドイッチ型錯体もこの反応に対して触媒活性を示すが,その活性は低い事を見出した。(2)電子豊富なルテニム錯体を用いて,反応中間体である第2級アミンボラン錯体およびアミノボランシグマ錯体を単離する事に成功した。(3)重水素ラベリング実験により,反応の途上,金属の配位圏内で何が起こっているのかを詳細に明らかにすることができた。
|
