| 研究課題/領域番号 |
21560007
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
花田 貴 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (80211481)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | エピタキシャル成長 / X線回折 / 鉄シリサイド / 薄膜 / 構造転移 / エピタキシャル |
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| 研究概要 |
シリコン基板上の熱反応堆積法により鉄シリサイドが成長する初期過程をその場X線回折で初めて観測した。450℃成長では初期に高温相α-FeSi2のナノ結晶の成長が見られるが、β-FeSi2(100)面の成長に伴いα相は消滅した。500℃以上ではα-FeSi2は消滅しなかった。450℃でβ-FeSi2単相を成長した後、900℃までのアニールによりβ相[100] 軸がSi[001] 軸方向に整列する過程を観測した。
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