GaNのメゾスコピックなスケールでの結晶グレインに関する研究

• 研究課題/領域番号: 21560013
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 秋本 晃一 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (40262852)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
• キーワード: 化合物半導体 / X線回折 / 結晶工学 / 窒化ガリウム / メゾスコピック / GaN

研究概要

高精度で結晶グレインやそれに伴う格子ひずみを観察できるシンクロトロン放射光を用いたX線トポグラフィーの手法を用いて、GaN結晶に観察されたμmオーダーのメゾスコッピクなスケールのコントラストに対して、結晶面の傾きのずれと面間隔の伸縮を分離し測定することにはじめて成功した。また、極端に非対称なX線回折法を用いた表面近傍の研磨などによる表面のひずみの測定法を動力学的回折理論を駆使して確立した。

研究成果

• [雑誌論文] Quantitative strain analysis of surfaces and interfaces using extremely asymmetric X-ray diffraction(Topical Review) (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Akimoto and T. Emoto
  • 雑誌名: Journal of Physics : Condensed Matter 巻: 22(47) 号: 47 ページ: 473001-473001
  • DOI: 10.1088/0953-8984/22/47/473001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structure of the quasi-one-dimensional Si(553)-Au surface (2010)
  • 著者名/発表者名: W. Voegeli, T. Takayama, T. Shirasawa, M. Abe, K. Kubo, T. Takahashi, K. Akimoto, and H. Sugiyama
  • 雑誌名: Gold dimer row and silicon honeycomb chain, Phys. Rev 巻: 82 号: 7 ページ: 75426-75426
  • DOI: 10.1103/physrevb.82.075426
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantitative strain analysis of surfaces and interfaces using extremely asymmetric X-ray diffraction (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Akimoto, T.Emoto
  • 雑誌名: Journal of Physics : Condensed Matter 巻: 22 ページ: 473001-473001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structure of the SiC(0001)-√3×√3-R30゜ surface after initial oxidation (2010)
  • 著者名/発表者名: W.Voegeli, K.Akimoto, A.Ichimiya, Y.Hisada.
  • 雑誌名: Surface Science 巻: 604 ページ: 1713-1717
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structure of the quasi-one-dimensional Si(553)-Au surface : Gold dimer row and silicon honeycomb chain (2010)
  • 著者名/発表者名: W.Voegeli, T.Shirasawa, T.Takahashi, K.Akimotoa.
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 82 ページ: 75426-75426
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain evolution in Si substrate due to implantation of Me Vion observed by extremely asymmetric x-ray diffraction (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Emoto, J. Ghatak, P. V. Satyam, and K. Akimoto
  • 雑誌名: J Appl. Physics 巻: 106(4) 号: 4 ページ: 43516-43516
  • DOI: 10.1063/1.3202329
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural Study of the Si(553)-Au Surface (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Takayama, W. Voegeli, T. Shirasawa, K. Kubo, M. Abe, and T. Takahashi, K. Akimoto, H. Sugiyama
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 巻: 7 ページ: 533-536
  • DOI: 10.1380/ejssnt.2009.533
  • NAID: 130004439142
  • ISSN: 1348-0391
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain evolution in Si substrate due to implantation of MeV ion observed by extremely asymmetric x-ray diffraction (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Emoto, P.V.Satyam, K.Akimoto
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 106(4) ページ: 43516-43516
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural Study of the Si(553)-Au Surface (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Takayama, W.Voegeli, T.Takahashi, K.Akimoto
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7 ページ: 533-536
  • 査読あり
• [学会発表] X線回折法によるGaN表面近傍のひずみ評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 鈴木良和,持木健吾,秋本晃一,浪田秀郎,長尾哲
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction, 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Akimoto
  • 学会等名: 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN11)
  • 発表場所: St. Petersburg(Russia)
  • 年月日: 2011-10-04
• [学会発表] Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Akimoto
  • 学会等名: 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN11)
  • 発表場所: St.Petersburg (Russia)
  • 年月日: 2011-10-04
• [学会発表] X線トポグラフ法によるGaN結晶の結晶面の傾きと面間隔の伸縮の分離 (2011)
  • 著者名/発表者名: 持木健吾,鈴木良和,秋本晃一,浪田秀郎,長尾哲
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] X線回折法によるGaN表面近傍のひずみ評価(計算) (2011)
  • 著者名/発表者名: 鈴木良和,持木健吾,秋本晃一,榎本貴志
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] X線トポグラフ法によるGaN結晶の結晶面の傾きと面間隔の伸縮の分離 (2011)
  • 著者名/発表者名: 持木健吾, 鈴木良和, 秋本晃一, 浪田秀郎, 長尾哲
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] 極端に非対称なX線回折法による半導体表面界面の格子ひずみ解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 秋本晃一
  • 学会等名: 物質・材料研究機構
  • 発表場所: 茨城県
  • 年月日: 2011-07-25
• [学会発表] 極端に非対称なX線回折法による半導体表面界面の格子ひずみ解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 秋本晃一
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 要旨集
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] Novel Film Growth Mechanism using Tribo-Assisted Phenomenon (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Akimoto
  • 学会等名: 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
  • 発表場所: グラナダ国際会議場(グラナダ、スペイン)
  • 年月日: 2009-09-22
• [産業財産権] 周期表第13族金属窒化物基板 (2012)
  • 発明者名: 浪田秀郎,長尾哲,秋本晃一
  • 権利者名: 三菱化学株式会社
  • 産業財産権番号: 2011-176546
  • 出願年月日: 2012-02-28
• [産業財産権] 窒化物半導体結晶の測定方法、ドメインの検出方法および窒化物半導体結晶の評価方法 (2011)
  • 発明者名: 浪田秀郎,長尾哲,大畑達寛,内山泰宏,秋本晃一
  • 権利者名: 三菱化学株式会社
  • 産業財産権番号: 2011-176546
  • 出願年月日: 2011-08-12
• [産業財産権] 窒化物半導体結晶の測定方法、ドメインの検出方法および窒化物半導体結晶の評価方法 (2011)
  • 発明者名: 浪田秀郎, 長尾哲, 大畑達寛, 内山泰宏, 秋本晃一
  • 権利者名: 三菱化学株式会社
  • 産業財産権番号: 2011-176546
  • 出願年月日: 2011-08-12