| 研究課題/領域番号 |
21560014
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 三重大学 |
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研究代表者 |
三宅 秀人 三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70209881)
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| 研究分担者 |
平松 和政 三重大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50165205)
直井 弘之 和歌山工業高等専門学校, 電気情報工学科, 准教授 (10373101)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 窒化アルミニウム / AlN / ハイドライド気相成長法 / HVPE / 選択横方向成長 / 加工基板 / エッチピット / AIN / 貫通転位 / EPD法 / ファセット制御 / 紫外線発光 / ハイドライド気相エピタキシャル成長 / 触媒作用 / 横方向成長 / ELO |
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| 研究概要 |
高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの基板としてAlNが有用である。AlN及びAlGaNの選択成長では, SiO2等をマスクに用いることができないため,基板に溝加工を行って横方向成長を制御する成長法が有望である。本研究では,三角ストライプ状にシード部の加工を行ったAlN/サファイア基板上へHVPE法により厚膜成長を行い,ファセット制御により貫通転位の伝搬を制御して,その密度を約1桁低減した。また,エッチピット法を用いてAlNエピタキシャル膜中の貫通転位密度の評価を行った。KOHとNaOHの混合融液によりウェットエッチングを行った結果,エッチピットの大きさにより転位種類を判別できることを明らかにした。
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