| 研究課題/領域番号 |
21560015
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
周 逸凱 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (60346179)
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| 研究分担者 |
朝日 一 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (90192947)
長谷川 繁彦 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (50189528)
江村 修一 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90127192)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2009年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | スピントロ二クス / 半導体物性 / MBE / ナノ材料 / 結晶工学 / スピンエレクトロニクス |
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| 研究概要 |
GaGdN/ AlGaN対称型多重ダブル量子井戸構造及びGaDyN/ GaN二重障壁構造を、プラズマ支援分子線エピタキシー法を用いて、GaN(0001)テンプレート基板の上に成長させた。いずれの構造において、磁化測定より室温において強磁性を示す明瞭なヒステリシスループが観察された。磁場PLスペクトルから、GaNより高エネルギー側にGaGdN量子井戸層からの発光を確認し、通常のGaN(g因子2)と比べ、g因子が約60であることが得られた。また、GaDyN/ GaN二重障壁構造において、膜厚を変えるとこによって、磁性層間の層間相互作用が確認できた。量子ナノ構造において、磁性制御が容易に実現できることがわかった。
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