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混晶化合物半導体における電子正孔生成消滅過程の研究

研究課題

研究課題/領域番号 21560017
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関和歌山大学

研究代表者

篠塚 雄三  和歌山大学, システム工学部, 教授 (30144918)

研究分担者 小田 将人  和歌山大学, システム工学部, 助教 (70452539)
研究期間 (年度) 2009 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
キーワード光物性 / 化合物半導体 / 混晶 / 量子井戸 / 発光素子 / 半導体レーザー / 欠陥反応 / 再結合 / 信頼性
研究概要

A_<1-x> A^*_x B型の化合物混晶において対角的な乱れがある場合、ポテンシャルエネルギーε_Aとε_<A*>の相対位置がε_Bと比べてどこに位置するかによって、バンドギャップの組成依存性において1)単調な変化をする混晶と2)大きく湾曲しギャップがゼロになることもある混晶の2つに分けられることを理論的に示した。また、深い準位を介してキャリヤの多フォノン放出非発光捕獲過程が引き起こす過程を解析し、格子振動の減衰時定数が長く、キャリヤ濃度が高くキャリヤ捕獲確率が大きい場合は、キャリヤのコヒーレントな連続捕獲並びに格子振動の振幅増大(欠陥反応につながる)の可能性があることを示し、その条件(発生確率)を半定量的に明らかにした。

報告書

(4件)
  • 2011 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (24件)

すべて 2012 2011 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (7件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (14件) 図書 (2件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Feedback and Inflation Mechanism in Successive Multiphonon Carrier Captures at Deep-level Defects2012

    • 著者名/発表者名
      K. Suzuki, M. Wakita and Y. Shinozuka
    • 雑誌名

      MRS Spring Meeting proceedings

      巻: (印刷中)

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Feedback and Inflation Mechanism in Successive Multiphonon Carrier Captures at Deep-level Defects2012

    • 著者名/発表者名
      Kei Suzuki, Masaki Wakita, Yuzo Shinozuka
    • 雑誌名

      2012 MRS Spring Meeting proceedings

      巻: Symposium G(印刷中)

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2010

    • 著者名/発表者名
      原愛美、篠塚雄三
    • 雑誌名

      光物性研究会論文集

      巻: Vol.21 ページ: 158-161

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2010 実績報告書
  • [雑誌論文] Mechanisms of Recombination-enhanced Defect Reactions in Semiconductors2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Shinozuka
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc

      巻: 1195

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Mechanisms of Recombination-enhanced Defect Reactions in Semiconductors2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Shinozuka
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 1195

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2009

    • 著者名/発表者名
      日野篤、篠塚雄三
    • 雑誌名

      光物性研究会論文集

      巻: Vol.20 ページ: 365-368

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [雑誌論文] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2009

    • 著者名/発表者名
      日野篤、篠塚雄三
    • 雑誌名

      光物性研究会論文集 20

      ページ: 365-368

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 半導体中の欠陥反応の機構2012

    • 著者名/発表者名
      鈴木圭以、篠塚雄三
    • 学会等名
      第59回応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-18
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 半導体中の欠陥反応の機構2012

    • 著者名/発表者名
      鈴木圭以、篠塚雄三
    • 学会等名
      第59回応用物理学会18p-E1-1
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-18
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 半導体中の欠陥反応の機構2011

    • 著者名/発表者名
      鈴木圭以、篠塚雄三
    • 学会等名
      第7回励起ナノプロセス研究会
    • 発表場所
      堺市国際障害者交流センター
    • 年月日
      2011-11-01
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 励起ナノプロセス入門「総論」2011

    • 著者名/発表者名
      篠塚雄三
    • 学会等名
      第48回応用物理学会スクール
    • 発表場所
      山形大学
    • 年月日
      2011-08-29
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 励起ナノプロセス入門総論2011

    • 著者名/発表者名
      篠塚雄三
    • 学会等名
      第48回応用物理学会スクール
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス(招待講演)
    • 年月日
      2011-08-29
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2010

    • 著者名/発表者名
      原愛美、篠塚雄三
    • 学会等名
      第20回光物性研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学
    • 年月日
      2010-12-11
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2010 実績報告書
  • [学会発表] 混晶半導体の電子状態の理論的研究2010

    • 著者名/発表者名
      原愛美、篠塚雄三
    • 学会等名
      応用物理学会2010年度秋季大会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2010 実績報告書
  • [学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2009

    • 著者名/発表者名
      日野篤、篠塚雄三
    • 学会等名
      第20回光物性研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学
    • 年月日
      2009-12-12
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態理論2009

    • 著者名/発表者名
      日野篤、篠塚雄三
    • 学会等名
      第20回光物性研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学
    • 年月日
      2009-12-12
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Mechanisms of Recombination-enhanced Defect Reactions in Semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Shinozuka
    • 学会等名
      Materials Research Society 2009 Fall Meeting
    • 発表場所
      Sheraton Hotel Boston USA
    • 年月日
      2009-11-30
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2009 実績報告書
  • [学会発表] Mechanism of Capture-Enhanced Defect Reactions in Semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      M. Negoro, S. Matsutani, T. Higashi, and Y. Shinozuka
    • 学会等名
      Int. Symposium on the Physic of Excitation-assisted Nano-processes
    • 発表場所
      Daiwa Roynet Hotel, Wakayama, Japan
    • 年月日
      2009-11-20
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Mechanism of Capture-Enhanced Defect Reactions in Semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      M.Negoro, S.Matsutani, T.Higashi, Y.Shinozuka
    • 学会等名
      International Symposium on the Physic of Excitation-assisted Nano-processes
    • 発表場所
      Daiwa Roynet Hotel Wakayama, Japan
    • 年月日
      2009-11-20
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2009

    • 著者名/発表者名
      日野篤、篠塚雄三
    • 学会等名
      化合物混晶半導体の電子状態の理論
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態理論2009

    • 著者名/発表者名
      日野篤、篠塚雄三
    • 学会等名
      応用物理学会2009年度秋季大会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [図書] "Mechanism of Defect Reactions in Semiconductors" in" Reliability and Materials Issues of Optical Devices"2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Shinozuka
    • 出版者
      Springer Verlag
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [図書] Mechanism of Defect Reactions in Semiconductors in "Reliability and Materials Issues of Optical Devices"(Ed.by O.Ueda and S.Pearton)2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Shinozuka
    • 出版者
      Springer Verlag(印刷中)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.wakayama-u.ac.jp/.yuzo/index.html

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書

URL: 

公開日: 2009-04-01   更新日: 2016-04-21  

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