| 研究課題/領域番号 |
21560022
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 福岡工業大学 |
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研究代表者 |
武田 薫 福岡工業大学, 工学部, 講師 (90236464)
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| 研究分担者 |
中西 剛司 福岡工業大学, 工学部, 准教授 (70297761)
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| 連携研究者 |
吉武 剛 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 准教授 (40284541)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2009年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | ヘテロ構造 / 鉄シリサイド / 人工格子 / 静水圧力 / 電気抵抗率 / 超格子 / 量子井戸 / スピントロニ / 圧力効果 / スピントロニクス |
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| 研究概要 |
強磁性体のFe3Si単層膜と反強磁性結合したFe3Si/FeSi2の多層膜を静水圧中で2.6GPaまで圧力を印加して電気抵抗率を測定した。Fe3Si単層膜は圧力の増加に伴って電気抵抗率は増加しそして飽和する傾向を示した。反強磁性結合したFe3Si/FeSi2積層膜の抵抗率は圧力の増加に伴って単調に増加することがわかった。Fe3Si単層膜に対する電気抵抗率の圧力効果は+0.6%/GPa以下、FeSi2単層膜の圧力効果は+1.0%/GPa以下で変化し、さらにFe3Si/FeSi2積層膜ではAF結合膜では+2%/GPa以下であり、F結合では+1.0%/GPa以下であることがわかった。
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