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オンウエハセンサ技術による基板電荷蓄積量とイオンエネルギー分布計測技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号 21560026
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 薄膜・表面界面物性
研究機関東北大学

研究代表者

大竹 浩人  東北大学, 流体科学研究所, 准教授 (00436156)

研究分担者 寒川 誠二  東北大学, 流体科学研究所, 教授 (30323108)
研究期間 (年度) 2009 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
キーワードプラズマ加工 / オンウエハセンサ / モニタリング / イオン軌道 / チャージアップ
研究概要

プラズマプロセスにおける基板上の電荷蓄積量や紫外線照射損傷量、入射するイオンのエネルギー分布や電子密度をウエハ上で測定する「オンウエハモニタリングセンサ」を開発している。本年度はオンウエハセンサの信頼性向上を検討した。オンウエハセンサの実用のためには、センサ本体のばらつき、測定のばらつきなどが物理的にどう生じ、測定結果にどう影響を与えるかを定量的に把握しておく必要がある。チャージアップセンサのSEM断面観察を27サンプル行い、作製プロセスの管理を行うことで、断面形状のばらつきを±5%以下に抑えることができた。測定ばらつきの原因として、ボンディングパッド部分が考えられたため、ボンディング材料、塗布面積を最適化後、チップ間・ウエハ間・ロット間の測定ばらつきを観察した。測定ばらつきは大きく見積もっても±15%以内に収まることを実際のデータにより示した。また、ばらつき形状がチャージアップ量にどう影響するかについて、シミュレーション技術を用いて調査したところ、±5%以下に抑えることができれば、形状が与える電圧変化量は電圧の測定誤差内に収まることを明らかにした。また、高バイアス印加時の測定不良の改善を試みた。測定不良の原因は測定ラインとチャンバの電位差が起因なので、プラズマ中の測定ラインをガラス管で囲い、導入端子をガラス基板に設置、抵抗による電圧ダンピング、RFフィルタによるRFの除去により、5kWまでの高バイアス印加(DC2kV)でも測定を実現した。

報告書

(2件)
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (7件)

すべて 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (4件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Prediction of UV spectra and UV radiation damage in actual plasma etching processes using on-wafer monitoring technique2010

    • 著者名/発表者名
      B.Jinnai, S.Fukuda, H.Ohtake, S.Samukawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 107 ページ: 43302-43302

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Prediction of Abnormai Etching Profile in High Aspect Ratio Via/Hole Etching Using On-wafer Monitoring System2010

    • 著者名/発表者名
      H.Ohtake, S.Fukuda, B.Jinnai, T.Tatsumi, S.Samukawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] オンウェハモニタリングによるPECVDプロセスにおけるチャージングダメージの発生メカニズム解明とそのリアルタイム評価2010

    • 著者名/発表者名
      荒木良亮、奥村宏克、陣内佛霖、松永範昭、寒川誠二
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Ion Trajectory Prediction at High-Aspect-Ratio Hole Etching by the Combination of On-Water Monitoring and Sheath Modeling2009

    • 著者名/発表者名
      大竹浩人, 福田誠一, 陣内佛霖, 辰巳知彦, 寒川誠二
    • 学会等名
      AVS 56th International Symposium & Exhibition
    • 発表場所
      アメリカ合衆国・カリフォルニア州・サンノゼ
    • 年月日
      2009-11-11
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Prediction of Abnormal Etching Profile in High-Aspect-Ratio Via/Hole Etching Using On-Water Monitoring System2009

    • 著者名/発表者名
      大竹浩人, 福田誠一, 陣内佛霖, 辰巳知彦, 寒川誠二
    • 学会等名
      International meeting on solid state device and materials
    • 発表場所
      宮城県・仙台市
    • 年月日
      2009-10-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] オンウエハモニタリング技術による異常形状発生予測2009

    • 著者名/発表者名
      大竹浩人、福田誠一、陣内佛霖、辰巳知彦、寒川誠二
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山県・富山市
    • 年月日
      2009-09-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.ifs.tohoku.ac.jp/samukawa/imdex.htm

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

URL: 

公開日: 2009-04-01   更新日: 2016-04-21  

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