格子不整合薄膜表面構造とナノ構造形成のボンドエンジニアリング

• 研究課題/領域番号: 21560032
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 三重大学
• 研究代表者: 伊藤 智徳 三重大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80314136)
• 研究分担者: 秋山 亨 三重大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40362363)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2009年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: 量子論的アプローチ / 格子不整合系 / 半導体表面構造 / 状態図 / 計算科学 / ナノ構造 / 成長機構 / ぬれ層表面 / 酸化物表面構造 / 量子ドット / ドーピング機構 / 状熊図

研究概要

量子論的アプローチにより,半導体ナノ構造形成に重要な格子不整合薄膜表面を対象に,成長条件である温度,分子線圧力の関数としての表面状態図の理論予測を行うと共に,ナノ構造形成過程について検討した。具体的には,格子不整合系としてInAs/GaAs系を取り上げ, InAs(111)およびInAs(001)表面構造予測と行うと共に,成長条件下で安定な表面を対象にInならびにAsの吸着・脱離の振る舞いについて検討した。

研究成果

• [雑誌論文] Ab initio-based approach to GaN surfaces : Reconstruction, adsorption, and incorporation (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: Semicond. Sci. Technology 巻: 27
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stability of nitrogen incorporated Al_20_3 surfaces : Formation of AlN layers by oxygen desorption (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Akiyama, Y. Saito, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Surf. Sci 巻: 606 ページ: 221-225
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reconstructions on AlN polar surfaces under hydrogen rich conditions (2012)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Daisuke Obara, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 1R ページ: 018001-018001
  • DOI: 10.1143/jjap.51.018001
  • NAID: 210000140036
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stability of nitrogen incorporated Al_2O_3 surfaces : Formation of AlN layers by oxygen desorption (2012)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Yasutaka Saito, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Surface Science 巻: 606 号: 3-4 ページ: 221-225
  • DOI: 10.1016/j.susc.2011.09.018
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of interlayer interactions on structural stability and electronic structures of twin boundary interfaces in CaCO_3 calcite (2012)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Journal of Physical Chemistry 巻: 116 号: 1 ページ: 987-993
  • DOI: 10.1021/jp209647b
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to GaN surfaces : Reconstruction, adsorption, and incorporation (2012)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Semiconductor Science and Technology 巻: 27 号: 2 ページ: 024010-024010
  • DOI: 10.1088/0268-1242/27/2/024010
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic and electronic structure of CaCO_3 surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Phys. Rev 巻: 84
  • 査読あり
• [雑誌論文] エピタキシャル成長素過程への量子論的アプローチ (2011)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 雑誌名: 日本結晶成長学会誌 巻: 38 ページ: 137-143
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stability of carbon incorporated semipolar GaN(1-101) surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 50
  • 査読あり
• [雑誌論文] Empirical potential approach to the epitaxial relationship between AlN thin films and Si(001) substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, H. Nakano, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: 8 ページ: 1569-1572
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigations for the polytypism in semiconductors (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Kondo, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 巻: 318 ページ: 141-144
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to adsorption-desorption behavior on the InAs(111) A surface heteroepitaxially grown on GaAs substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, N. Ishimure, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 巻: 318 ページ: 72-75
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to the adsorption behavior fo In on InAs wetting layer grown on GaAs(001) substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Ogasawara, T. Ito, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: 8 ページ: 245-247
  • 査読あり
• [雑誌論文] Empirical potential approach to the epitaxial relationship between AlN thin films and Si (001) substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Haruo Nakano, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 号: 5 ページ: 1569-1572
  • DOI: 10.1002/pssc.201000865
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical Investigation of Effect of Side Facets on Adsorption-Desorption Behaviors of In and P Atoms at Top Layers in InP Nanowires (2011)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹、秋山亨、中村浩次、伊藤智徳
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 50 号: 5R ページ: 055001-055001
  • DOI: 10.1143/jjap.50.055001
  • NAID: 40018812638
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stability of carbon incorporated semipolar GaN (1-101) surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 50 号: 8R ページ: 080216-080216
  • DOI: 10.1143/jjap.50.080216
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic and electronic structure of CaCO_3 surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura Tomonori Ito
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 84 号: 8
  • DOI: 10.1103/physrevb.84.085428
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to the adsorption behavior to In on InAs wetting layer grown on GaAs(001) substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Ogasawara, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 ページ: 245-247
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigations for the polytypism in silicon carbide : Contribution of the vacancy formation (2011)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Tomoyuki Kondo, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 ページ: 583-585
  • 査読あり
• [雑誌論文] Band alignment tuning in twin-plane superlattice of semiconductor nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Akiyama, Y. Saito, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Nano Lett 巻: 10 ページ: 4614-4618
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to structural modulation of AlN on 4H-SiC(11-20) during MBE growth (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Ito, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: Physica E 巻: 42 ページ: 2788-2791
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigation for the strain effect on surface structure of InAs(111) A (2010)
  • 著者名/発表者名: N. Ishimure, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Physica E 巻: 42 ページ: 2731-2734
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface reconstruction and magnesium incorporation on semipolar GaN(1-101) surfaces (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Akiyama, Y. Saito, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 巻: 81
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigations of polytypism in AlN thin films (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Ito, D. Ammi, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi A 巻: 207 ページ: 1431-1434
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based Monte Carlo simulation study for the structural stability of AlN grown on 4H-SiC(11-20) (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Ito, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: e-J. Sur. Sci. Nanotchnology 巻: 8 ページ: 52-56
  • NAID: 130004934094
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of facet orientation on relative stability between zinc blende and wurtzite structures in III-V nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface reconstruction and magnesium incorporation on semipolar GaN(1-101) surfaces (2010)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Daisuke Ammi, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 81
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigation on the structural stability of GaAs nanowires with two different types of facets (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Physica E 巻: 42 ページ: 2727-2730
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigation for the strain effect on surface structure of InAs(111)A (2010)
  • 著者名/発表者名: Naoki Ishimure, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Physica E 巻: 42 ページ: 2731-2734
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to structural modulation of AlN on 4H-SiC (11-20) during MBE growth (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Takumi Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Physica E 巻: 42 ページ: 2788-2791
  • 査読あり
• [雑誌論文] Band alignment tuning in twin-plane superlattice of semiconductor nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Tomoki Yamashita, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 10 ページ: 4614-4618
  • 査読あり
• [雑誌論文] A first-principles surface-phase diagram study for Si-adsorption processes on GaAs(111)A surface under low As-pressure condition (2010)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Hiroaki Tatematsu, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Surface Science 604 ページ: 171-174
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface reconstructions on GaN and InN semipolar (20-21) surfaces (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based Monte Carlo simulation study for the structural stability of AlN grown on 4H-SiC (11-20) (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Takumi Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotethnology 8 ページ: 52-56
  • NAID: 130004934094
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stability and indium incorporation on In_<0.25>Ga_<0.75>N surfaces under growth conditions : First-principles calculations (2010)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Tomoki Yamashita, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Role of Au/GaAs (111) interface on the wurtzite-structure formation during GaAs nanowire grown by vapor-liquid-solid mechanism (2009)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Yuya Haneda, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Physical Review B 79
  • 査読あり
• [雑誌論文] An ab initio-based approach to the stability of GaN(0001) surfaces under Ga-rich conditions (2009)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 3093-3096
  • NAID: 120002223761
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical approach to structural stability of c-GaN : How to grow cubic GaN (2009)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Kangawa, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 3106-3109
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structures and electronic states of Mg-incorporated InN surfaces : First-principles pseudopotential calculations (2009)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, J.-H.Song, A.J.Freeman
  • 雑誌名: Physical Review B 80
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reconstructions of GaN and InN semipolar (10-1-1) surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Daisuke Ammi, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 48
  • NAID: 40016796017
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stability of magnesium-incorporated semipolar (10-1-1) surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Daisuke Ammi, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 48
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigation on the structural stability of GaP nanowires with {111} facets (2009)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Applied Surface Science 256 ページ: 1054-1057
  • 査読あり
• [雑誌論文] Systematic theoretical investigation for adsorption behavior of Al and N atoms on 4H-SiC (11-20) surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: Takumi Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Applied Surface Science 256 ページ: 1164-1167
  • NAID: 120002223755
  • 査読あり
• [雑誌論文] Systematic theoretical investigations for contribution of lattice constraint to novel atomic arrangements in alloy semiconductor thin films (2009)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Naoki Takasu, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Applied Surface Science 256 ページ: 1218-1221
  • NAID: 120002223760
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface reconstructions on GaN and InN semipolar (11-22) surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 48
  • NAID: 40016890443
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based study for adatom kinetics on semipolar GaN (11-22) surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Tomoki Yamashita, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 48
  • NAID: 40016890460
  • 査読あり
• [学会発表] BNの構造多形に関する簡単な理解 (2012)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] InP(111)A面上における成長初期過程のモンテカルロシミュレーション (2012)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] GaAs(001)表面におけるBi原子の吸着に関する理論的研究 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村瀬功, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] α-Al_2O_3表面における窒化初期過程に関する理論検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨,斉藤康高,伊藤智徳,中村浩次
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] 計算科学から見た半導体ナノワイヤの形成機構 (2012)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] 計算科学から見た半導体ナノワイヤの形成機構 (2012)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] A simple approach to the polytypism in boron nitride (2012)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: American Physical Society March Meeting 2012
  • 発表場所: Boston
  • 年月日: 2012-02-29
• [学会発表] Ab initio-based approach to elemental growth processes of InAs wetting layer on GaAs(001) (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Sugitani, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 学会等名: 2nd Nano Today Conference
  • 発表場所: Kohara
  • 年月日: 2011-12-13
• [学会発表] Theoretical investigation for nitrogenincorporatedα-Al_2O_3 surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Saito, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito
  • 学会等名: 6th International Symposium on Surface Science
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-12-13
• [学会発表] Ab initio-based approach to elemental formation processes of InAs wetting layer on GaAs(001) (2011)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Tatsuhiko Sugitani, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: 2^<nd> Nano Today Conference
  • 発表場所: Kohara
  • 年月日: 2011-12-13
• [学会発表] Atomic and electronic structures of calcium carbonate surfaces : A first-principles study (2011)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: 6^<th> International Symposium on Surface Science
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-12-13
• [学会発表] Theoretical investigation for nitrogen-incorporated α-Al_2O_3 surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: Yasutaka Saito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: 6^<th> International Symposium on Surface Science
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2011-12-13
• [学会発表] 計算材料科学から見た窒化物半導体 (2011)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 阿南高等工業専門学校第16回寄附講座セミナー
  • 発表場所: 阿南(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-10
• [学会発表] Ab initobased investigations for In adatom on the InAs(111) A surface (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 学会等名: International Workshop on Atomic-Scale Manipulation and Spectroscopy of Surface and Nanostructures
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Ab initio-based investigations for In adatom on the InAs(111)A surface (2011)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: International Workshop on Atomic-Scale Manipulation and Spectroscopy of Surfaces and Nanostructures
  • 発表場所: 厚木(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] GaAs(001)上InAsぬれ層形成過程に関する一考察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳,秋山亨,中村浩次
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] α-Al_2O_3(1-102)表面における窒化に関する量子論的アプローチ (2011)
  • 著者名/発表者名: 斉藤康高, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] α-Al_2O_3(0001)表面での窒素取り込みにおける反応種依存性の理論検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] GaAsナノワイヤ成長条件下におけるGaAs(111)B表面再構成の理論的検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村瀬功, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] GaAs(001)基板上InAs表面におけるIn原子のマイグレーションに対するモンテカルロシミュレーション (2011)
  • 著者名/発表者名: 杉谷龍彦, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] InPナノワイヤにおけるIn原子の表面拡散に関する理論的研究 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 化合物半導体の原子レベル表面反応機構 (2011)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] 化合物半導体の原子レベル表面反応機構 (2011)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] GaN表面状態図から見た再構成,H吸着,Mg取り込み (2011)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 東北大学金属材料研究所共同利用研究会「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2011-08-08
• [学会発表] Growth processes of InP with wurtzite and zinc blende structures on (111) A surface (2011)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: International Conference on Materials for Advanced Technologies
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2011-06-29
• [学会発表] Ab inito-based approach to elemental growth process of In adatom on the InAs wetting layer grown on GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, K. Ogasawara, T. Sugitani, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 学会等名: International Conference on Materials for Advanced Technologies
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2011-06-28
• [学会発表] Ab initio-based approach to elemental growth process of In adatom on the InAs wetting layer grown on GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Kosuke Ogasawara, Tatsuhiko Sugitani, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: International Conference on Materials for Advanced Technologies
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2011-06-28
• [学会発表] A simple approach to the polytypism in SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: International Conference on Materials for Advanced Technologies
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2011-06-27
• [学会発表] Ab initio-based approach to elemental nitridation process of α-Al_2O_3 (2011)
  • 著者名/発表者名: Yasutaka Saito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: International Conference on Materials for Advanced Technologies
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2011-06-27
• [学会発表] Structural stability and electronic properties in Al_2O_3 and CrO_3 mixed crystals" (2011)
  • 著者名/発表者名: Yukie Kitaoka, Kohji Nakamura, Toru Akiyama, Tomonori Ito
  • 学会等名: International Conference on Materials for Advanced Technologies
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2011-06-27
• [学会発表] Structural stability of Mn-doped GaInAs and GaInN alloys (2011)
  • 著者名/発表者名: Masahiro Miyake, Kohji Nakamura, Toru Akiyama, Tomonori Ito
  • 学会等名: International Conference on Materials for Advanced Technologies
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2011-06-27
• [学会発表] SiCの構造多形に関する一考察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 結晶加工と評価技術第145委員会第126回研究会
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2011-06-16
• [学会発表] α-Al_2O_3表面上の窒素吸着に関する量子論的アプローチ (2011)
  • 著者名/発表者名: 斉藤康高,秋山亨,伊藤智徳,中村浩次
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] SiCの構造多形に関する簡単な理解 (2011)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] α-Al_2O_3(0001)表面上の窒素吸着に関する量子論的アプローチ (2011)
  • 著者名/発表者名: 斉藤康高, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] InP(111)A面上における成長初期過程に対するモンテカルロシミュレーション (2011)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 半極性GaN(1-101)表面での炭素取り込みに関する理論的検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 山下智樹, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 窒化物半導体における構造安定性とエピタキシャル関係 (2011)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 東北大学金属材料研究所共同利用研究会「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2011-01-18
• [学会発表] Theoretical approach to band alignment of twin-plane superlattice in semiconductor nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Tomoki Yamashita, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: 2010 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Boston
  • 年月日: 2010-12-01
• [学会発表] 化合物半導体の構造多形に関する一考察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「ナノスケールのゆらぎ・電子相関制御に基づく新規ナノデバイス」
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2010-11-26
• [学会発表] InAs量子ドット形成過程に関する一考察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「ナノスケールのゆらぎ・電子相関制御に基づく新規ナノデバイス」
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2010-10-21
• [学会発表] GaAs(001)基板上InAs(111) A表面に関する理論的検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳,伊藤巧,秋山亨,中村浩次
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] GaAs基板上InAs(111)A表面に関する理論的検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 伊藤巧, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] InP(111)A面上における双晶形成過程に対する理論的研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] GaAs(001)基板上のInAs表面上のIn吸着原子の振る舞いに対する量子論的アプローチ (2010)
  • 著者名/発表者名: 小笠原孝介, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 半導体ナノワイヤでの双晶面超格子におけるバンド配列のナノワイヤ径依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 山下智樹, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Theoretical investigations for the polytypism in semiconductors (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Tomoyuki Kondo, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: The 16^<th> International Conference on Crystal Growth
  • 発表場所: Beijing
  • 年月日: 2010-08-12
• [学会発表] Stability of hydrogen on nonpolar and semipolar nitride surfaces : Role of surface orientation (2010)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Tomoki Yamashita, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: The 16^<th> International Conference on Crystal Growth
  • 発表場所: Beijing
  • 年月日: 2010-08-10
• [学会発表] Ab initio-based approach to adsorption-desorption behavior on the InAs(111) A surface heteroepitaxially grown on GaAs substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, N. Ishimure, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 学会等名: 16th International Conference on Crystal Growth
  • 発表場所: Beijing
  • 年月日: 2010-08-09
• [学会発表] Ab initio-based approach to adsorption-desorption behavior on the InAs(111)A surface heteroepitaxially grown on GaAs substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Naoki Ishimure, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: The 16^<th> International Conference on Crystal Growth
  • 発表場所: Beijing
  • 年月日: 2010-08-09
• [学会発表] Surface reconstruction and magnesium incorporation on semipolar GaN(1-101) surfaces (2010)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Daisuke Ammi, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: The 16^<th> International Conference on Crystal Growth
  • 発表場所: Beijing
  • 年月日: 2010-08-09
• [学会発表] Empirical potential approach to the epitaxial relationship between AlN thin films and Si(001) substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, H. Nakano, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 学会等名: 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: Montpellier
  • 年月日: 2010-07-05
• [学会発表] Empirical potential approach to the epitaxial relationship between AlN thin films and Si(001) substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Haruo Nakano, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: The 3^<rd> International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: Montpellier
  • 年月日: 2010-07-05
• [学会発表] Theoretical investigations for the polytypism in silicon carbide : Contribution of the vacancy formation (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Tomoyuki Kondo, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: The 37^<th> International Conference on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Ab initio-based approach to the adsorption behavior for In on InAs wetting layer grown on GaAs(001) substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Ogasawara, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito
  • 学会等名: 37th International Conference on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松
  • 年月日: 2010-05-31
• [学会発表] Theoretical investigation for twinning formation processes at top layer of InP nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: The 37^<th> International Conference on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松
  • 年月日: 2010-05-31
• [学会発表] Ab initio-based approach to the adsorption behavior of In on InAs wetting layer grown on GaAs(001) substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Ogasawara, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: The 37^<th> International Conference on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松
  • 年月日: 2010-05-31
• [学会発表] 窒化物半導体非極性面の表面構造への量子論的アプローチ (2010)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨,伊藤智徳,中村浩次
  • 学会等名: 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 津
  • 年月日: 2010-05-14
• [学会発表] 窒化物半導体非極性面の表面構造への量子論的アプローチ (2010)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 津(招待講演)
  • 年月日: 2010-05-14
• [学会発表] 半極性GaN表面上のMg吸着に関する理論的研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 安味大輔, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 津
  • 年月日: 2010-05-14
• [学会発表] 無極性および半極性IN_<0.25>Ga_<0.75>N表面構造安定性に対する量子論的アプローチ (2010)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 山下智樹, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚
  • 年月日: 2010-03-20
• [学会発表] GaAs基板上のInAs(001)ぬれ層表面構造に対する量子論的アプローチ (2010)
  • 著者名/発表者名: 小笠原孝介, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚
  • 年月日: 2010-03-20
• [学会発表] SiCの構造多形に関する理論的検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 近藤智之, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚
  • 年月日: 2010-03-20
• [学会発表] InPナノワイヤ成長面における双晶形成初期過程に対する理論的研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 半導体ナノワイヤにおける双晶面超格子のバンド配列に対する量子論的アプローチ (2010)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 山下智樹, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 窒化物半導体結晶成長への量子論的アプローチ (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 東北大学金属材料研究所共同利用研究会「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2009-12-22
• [学会発表] Theoretical investigation on the facet formation processes in InP nanowires (2009)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2009 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Boston
  • 年月日: 2009-12-02
• [学会発表] Surface reconstructions and magnesium ioncorporation on semipolar GaN(10-1-1) surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 安味大輔, 山下智樹, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2009 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Boston
  • 年月日: 2009-11-30
• [学会発表] GaN表面におけるMg原子吸着に関する理論的検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 安味大輔, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 第39回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2009-11-14
• [学会発表] 結晶成長過程の量子論と成膜プロセス (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 日本学術振興会薄膜第131委員会研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-10-30
• [学会発表] 結晶成長過程の量子論と成膜プロセス (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 日本学術振興会薄膜第131委員会研究会「基礎から見直す薄膜のプロセス・機能」
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-10-30
• [学会発表] Theoretical investigations for polytypism in AlN thin films (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 伊藤巧, 安味大輔, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Jeju
  • 年月日: 2009-10-20
• [学会発表] Ab initio-based Monte Carlo simulation study for the structural stability of AIN grown on 4H-SiC(11-20) (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 伊藤巧, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 10^<th> International Conference on Atomically Controlled Surface, Interfaces and Nanostructures
  • 発表場所: Granada
  • 年月日: 2009-09-25
• [学会発表] 4H-SiC (11-20) 上AlN薄膜の構造多形に対する量子論的アプローチ (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 伊藤巧, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] 半極性GaN(10-1-1)表面におけるMg原子の吸着に関する理論的検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 安味大輔, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] GaAs基板上のInAs(111)Aぬれ層表面における表面再構成に対する量子論的アプローチ (2009)
  • 著者名/発表者名: 石牟禮直生, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] 無極性および半極性InNにおける表面再構成の理論検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] InPナノワイヤにおけるファセット形成過程に関する理論検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] An ab initio study for electronic states induced by In adatom on InAs (111) A surface (2009)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Kiyoshi Kanisawa
  • 学会等名: 26^<th> European Conference on Surface Science
  • 発表場所: Palma
  • 年月日: 2009-08-31
• [学会発表] Ab initio-based approach to surface phase diagram calculation for compound semiconductors and its application to epitaxial growth (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 学会等名: 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Smiconductor nanostructures
  • 発表場所: 阿南
  • 年月日: 2009-08-12
• [学会発表] Ab initio-based approach to surface phase diagram calculation for compound semiconductors and its application to epitaxial growth (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 2^<nd> International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
  • 発表場所: 阿南
  • 年月日: 2009-08-12
• [学会発表] Theoretical investigation on the structural stability of III-V nanowires with two different types of facets (2009)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2^<nd> International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
  • 発表場所: 阿南
  • 年月日: 2009-08-11
• [学会発表] Theoretical investigation for the strain effect on surface structure of InAs(111)A (2009)
  • 著者名/発表者名: 石牟禮直生, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: The 14^<th> International Conference on Modulated Semiconductor Structures
  • 発表場所: 神戸
  • 年月日: 2009-07-23
• [学会発表] Ab initio-based approach to structural modulation of AlN on 4H-SiC (11-20) during MBE growth (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 伊藤巧, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: The 14^<th> International Conference on Modulated Semiconductor Structures
  • 発表場所: 神戸
  • 年月日: 2009-07-20
• [学会発表] Theoretical investigation on the structural stability of GaAs nanowires with two different types of facets (2009)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: The 14^<th> International Conference on Modulated Semiconductor Structures
  • 発表場所: 神戸
  • 年月日: 2009-07-20
• [学会発表] 第一原理計算によるSi酸化の界面反応 (2009)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 影島博之, 植松真司, 伊藤智徳
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-06-19