| 研究課題/領域番号 |
21560033
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
|
|---|
| 研究機関 | 三重大学 |
|---|
研究代表者 |
佐藤 英樹 三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (40324545)
|
|---|
| 研究協力者 |
齋藤 弥八 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90144203)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
|
|---|
| キーワード | カーボンナノチューブ、スパッタリング法、フィールドエミッタ、化学気相成長法 / カーボンナノチューブ / スパッタリング法 / フィールドエミッタ化学気相成長法 / 化学気相成長法 / CNTピラーアレイ / フィールドエミッタ / CNT成長モルフォロジー制御 / CNTピラー |
|---|
| 研究概要 |
三重大学電界放出ディスプレイなどの電界放出デバイスのための電子源として、カーボンナノチューブ(CNT)が密集して形成されるCNTピラーの電界放出電子源アレイの利用を検討した。CNTピラーからの電子放出特性向上のため、個々のCNTピラーの上部の形状を制御し、ピラー上部でのCNT分散状態を向上させた。その結果、ピラー上部の形状を従来のような平坦な形状から山形形状にすることにより,その電界放出特性が向上することが確認された。
|
