光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/歪GeおよびSiチャネルの界面構造の決定

• 研究課題/領域番号: 21560035
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 東京都市大学
• 研究代表者: 野平 博司 東京都市大学, 工学部, 教授 (30241110)
• 連携研究者: 澤野 憲太郎 東京都市大学, 工学部, 講師 (90409376)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2009年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
• キーワード: 歪チャネル / 硬X線光電子分光法 / 高誘電率膜ゲート絶縁膜 / 高移動度チャネル / Ge / 界面構造 / 表面・界面物性 / 歪Geチャネル / 角度分解X線光電子分光法 / 高誘電率絶縁膜/半導体界面 / 積層構造 / 深さ方向元素分布 / 高誘電率絶縁膜 / 半導体界面

研究概要

角度分解X線光電子分光法を用いての熱処理とSi-capの厚さの違いがHfO_2/Si-cap/歪みGe/SiGe/Si構造の組成と化学結合状態に及ぼす影響を調べた。その結果、Ge 2p、Si 1sおよびHf 3d光電子スペクトルの解析から、本実験の条件では、Si-cap層が3～5 nmおよびSi-cap層が2nmでかつ熱処理前のとき、下層の歪みGe層の酸化を抑えられること、言い換えると歪みGe層の酸化の抑制には、未酸化のSiがGe上に存在することが必要であることを明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] XPS Study on Chemical Bonding States of high-κ/high-μGate Stacks for Advanced CMOS (2011)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira, Arata Komatsu, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, and Yasuhiro Shiraki
  • 雑誌名: Electrochemical Society Inc., ECS Transactions 巻: Vol.41 ページ: 137-146
  • 査読あり
• [雑誌論文] In diffusion and electronic energy structure in polymer layers on In tinoxide (2011)
  • 著者名/発表者名: Polona Skraba, Gvido Bratina, Satoru Igarashi, Hirosi Nohira, Kazuyuki Hirose
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: Vol.519 号: 13 ページ: 4216-4219
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2011.02.034
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study of High-κ/In_<0.53>Ga_<0.47>As Interface by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: Koji Yamashita, Yuuya Numajiri, Masato Watanabe, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Hiroshi Nohira
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 50 号: 10S ページ: 10PD02-10PD02
  • DOI: 10.1143/jjap.50.10pd02
  • 査読あり
• [雑誌論文] Capacitance-Voltage Characterization of La_2O_3 Metal-Oxide-Semiconductor Structures on In_<0.53>Ga_<0.47> As Substrate with Different Surface Treatment Methods (2011)
  • 著者名/発表者名: Dariush Zade, Takashi Kanda, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Nohira, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol.50 号: 10S ページ: 10PD03-10PD03
  • DOI: 10.1143/jjap.50.10pd03
  • 査読あり
• [雑誌論文] XPS Study on Chemical Bonding States of high-κ/high-μ Gate Stacks for Advanced CMOS (2011)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira, Arata Komatsu, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
  • 雑誌名: Electrochemical Society Inc., ECS Transactions 巻: 41(Invited) ページ: 137-146
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La_2O_3/In_<0.53>Ga_<0.47>As and nd In_<0.53>Ga_<0.47>As Surface (2011)
  • 著者名/発表者名: Koji Yamashita, Arata Komatsu, Masato Watanabe, Yuuya Numajiri, Darius Zade, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Hiroshi Nohira
  • 雑誌名: Electrochemical Society Inc., ECS Transactions 巻: 41 ページ: 265-272
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study on Chemical Bonding States at high-κ/Si and high-κ/Ge Interfaces by XPS (2010)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira
  • 雑誌名: Proceedings of 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology 巻: 2(3) ページ: 990-993
• [雑誌論文] Study of HfO_2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, and Yasuhiro Shiraki
  • 雑誌名: Electrochemical Society Inc., ECS Transactions 巻: Vol.33, No.3 ページ: 467-472
  • NAID: 110008900164
  • 査読あり
• [雑誌論文] XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS (2010)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira
  • 雑誌名: Electrochemical Society Inc., ECS Transactions 巻: Vol.28, No.2 ページ: 129-137
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hard-X-ray Photoelectron Diffraction from Si(001) Covered by a 0-7-nm-Thick SiO_2 Layer (2010)
  • 著者名/発表者名: Igor Pis, Masaaki Kobata, Tomohiro Matsushita, Hiroshi Nohira, Keisuke Kobayashi
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: Vol.3,No.5
  • NAID: 10027014913
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction of Accumulation Capacitance in Direct-Contact HfO_2/p-Type Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors (2010)
  • 著者名/発表者名: Yasuhiro Abe, Noriyuki Miyata, Hiroshi Nohira, Tetsuji Yasuda
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: Vol.49,No.6
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study of HfO_2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, Yasuhiro Shiraki
  • 雑誌名: Electrochemical Society Inc., ECS Transactions 巻: Vol.33,No.3 ページ: 467-472
  • NAID: 110008900164
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study on Chemical Bonding States at high-κ/Si and high-κ/Ge Interfaces by XPS (2010)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira
  • 雑誌名: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings 巻: Part 2 of 3 ページ: 990-993
• [雑誌論文] Effect of Oxide Charge Trapping on X-ray Photoelectron Spectroscopy of HfO_2/SiO_2/Si Structures (2009)
  • 著者名/発表者名: Yasuhiro Abe (Hiroshi Nohira)
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 48
  • 査読あり
• [雑誌論文] Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Nohira
  • 雑誌名: Electrochemical Society Inc., Vienna, Austria, ECS Transactions Vol.25 ページ: 321-326
  • 査読あり
• [雑誌論文] Comprehensive x-ray photoelectron spectroscopy study on compositional gradient lanthanum silicate film (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Kakushima (H.Nohira)
  • 雑誌名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106
  • 査読あり
• [学会発表] 軟X線光電子分光法を用いたSi中Bの化学結合状態の熱処理温度依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 宮田陽平, 金原潤, 秋田洸平, 筒井一生, 野平博司, 泉雄大, 室隆桂之, 木下豊彦, 角嶋邦之, アヘメト パールハット, 服部健雄, 岩井洋
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] 軟X線光電子分光法によるSi中の極浅高濃度Bドープ層におけるクラスター濃度分布解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 金原潤, 宮田陽平, 武井優典, 寺山一真, 筒井一生, 野平博司, 泉雄大, 室隆桂之, 木下豊彦, アヘメト パールハット, 角嶋邦之, 服部健雄, 岩井洋
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] Ce酸化物/Si(100)界面におけるCeの価数とCeシリケート (2012)
  • 著者名/発表者名: 幸田みゆさ, Maimati Mamatrishat, 川那子高暢, 角嶋邦之, Ahmet Parhat, 野平博司, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] SiO_2/SiC界面構造の角度分解光電子分光法による評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 岡田葉月, 小松新, 渡邊将人, 室隆桂之, 泉雄大, 野平博司
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] XPSとXAFSを用いたZnO/CdS界面の化学結合状態評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 阿部泰宏, 小松新, 野平博司, 中西康次, 峯元高志, 太田俊明, 高倉秀行
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] Si-capによるHfO_2/歪みGe界面のHfジャーマネイト形成の抑制 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小松新, 多田隼人, 渡邉将人, 那須賢太郎, 星祐介, 榑林徹, 澤野憲太郎, ミロノフマクシム, 白木靖寛, 野平博司
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] In_<0.53>Ga_<0.47>As表面の初期酸化過程のAR-XPSによる評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 沼尻侑也, 山下晃司, 小松新, Zade Darius, 角嶋邦之, 岩井洋, 野平博司
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO_2の絶縁破壊電界の推定 (2012)
  • 著者名/発表者名: 関洋, 渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 泰岡顕治, 廣瀬和之
  • 学会等名: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
  • 発表場所: 東レ総合研修センター(静岡県)
  • 年月日: 2012-01-21
• [学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定 (2012)
  • 著者名/発表者名: 渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
  • 学会等名: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
  • 発表場所: 東レ総合研修センター(静岡県)
  • 年月日: 2012-01-20
• [学会発表] 種々の表面処理によるIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態の角度分解光電子分光法による評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 沼尻侑也, 山下晃司, 小松新, ザデ ダリューシュ, 角嶋邦之, 岩井洋, 野平博司
  • 学会等名: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
  • 発表場所: 東レ総合研修センター(静岡県)
  • 年月日: 2012-01-20
• [学会発表] 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 野平博司, 小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 白木靖寛
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス
  • 発表場所: 東北大学(宮城県)
  • 年月日: 2011-10-21
• [学会発表] 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 野平博司, 小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 博林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 白木靖寛
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス
  • 発表場所: 東北大学(宮城県)(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-21
• [学会発表] AR-XPSによる種々の表面処理したIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 沼尻侑也, 山下晃司, 小松新, ザデダリューシュ, 角嶋邦之, 岩井洋, 野平博司
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス
  • 発表場所: 東北大学(宮城県)
  • 年月日: 2011-10-21
• [学会発表] Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La_2O_3/In_<0.53>Ga_<0.47>As and on In_<0.53>Ga_<0.47>As Surfaceat (2011)
  • 著者名/発表者名: Koji Yamashita, Arata Komatsu, Masato Watanabe, Yuuya Numajiri, Darius Zade, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Hiroshi Nohira
  • 学会等名: 220th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: Boston (USA)
  • 年月日: 2011-10-11
• [学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of high-κ/high-μ Gate Stacks for Advanced CMOS (2011)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira, Arata Komatsu, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
  • 学会等名: 220th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: Boston (USA)(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-10
• [学会発表] AR-XPSによる(NH_4)_2S処理したIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 沼尻侑也, 山下晃司, 小松新, ダリューシュザデ, 角嶋邦之, 岩井洋, 野平博司
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 軟X線光電子分光法を用いたFin構造中の不純物化学結合状態分析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮田陽平, 金原潤, 難波覚, 三角元力, 筒井一生, 野平博司, 室隆桂之, 木下豊彦, 角嶋邦之, アヘメト パールハット, 服部健雄, 岩井洋
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Si中にドープされたAsの軟X線光電子分光による化学結合状態の検出とその深さ方向分布 (2011)
  • 著者名/発表者名: 金原潤, 宮田陽平, 秋田洸平, 筒井一生, 野平博司, 室隆桂之, 木下豊彦, アヘメト パールハット, 角嶋邦之, 服部健雄, 岩井洋
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSiO_2の局所構造を反映した絶縁破壊電界の推定 (2011)
  • 著者名/発表者名: 関洋, 渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 泰岡顕治, 廣瀬和之
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面近傍中間酸化物の静的誘電率推定 (2011)
  • 著者名/発表者名: 渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石原由梨, 渋谷寧浩, 五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 上野和良, 廣瀬和之
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会137回研究集会(共催:電子情報通信学会SDM研究会)
  • 発表場所: 名古屋大学(愛知県)
  • 年月日: 2011-07-04
• [学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 野平博司, 白木靖寛
  • 学会等名: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第16回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
  • 発表場所: 東京工業大学(東京都)
  • 年月日: 2011-01-22
• [学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 野平博司, 白木靖寛
  • 学会等名: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第16回研究会)(旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
  • 発表場所: 東京工業大学(東京都)
  • 年月日: 2011-01-22
• [学会発表] Study on Chemical Bonding States at high-κ/Si and high-κ/Ge Interfaces by XPS (2010)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira
  • 学会等名: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit
  • 発表場所: 上海(中国)
  • 年月日: 2010-11-03
• [学会発表] Study on Chemical Bonding States at high-κ/Si and high-κ/Ge Interfaces by XPS (2010)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira
  • 学会等名: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit
  • 発表場所: 上海(中国)(招待講演)
  • 年月日: 2010-11-03
• [学会発表] Study of HfO_2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, and Yasuhiro Shiraki
  • 学会等名: 218th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: Las Vegas, NV, USA
  • 年月日: 2010-10-13
• [学会発表] Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小林大助, 栗原智之, 小寺哲夫, 内田建, 野平博司, 小田俊理
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 予稿集, 17a-ZE-2
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価II (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, ミロノフマクシム, 野平博司, 白木靖寛
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価II (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, ミロノフマクシム, 野平博司, 白木靖寛
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会,予稿集, 15p-ZA-12
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS (2010)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira
  • 学会等名: 217th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: Vancouver, Canada
  • 年月日: 2010-04-27
• [学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS (2010)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Nohira
  • 学会等名: 217th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: Vancouver, Canada(招待講演)
  • 年月日: 2010-04-27
• [学会発表] 実験室硬X線光電子分光装置の開発とその半導体への応用 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小林啓介(野平博司)
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学・湘南キヤンパス
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 野平博司, 白木靖寛
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学・湘南キャンパス
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] SrO/La_2O_3/CeO_2/Si(100)構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 野平博司
  • 学会等名: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第15回研究会)
  • 発表場所: 東レ総合研修センター(静岡県三島市)
  • 年月日: 2010-01-22
• [学会発表] Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure (2009)
  • 著者名/発表者名: 野平博司
  • 学会等名: Electrochemical Society Inc.
  • 発表場所: ウィーン、オーストリア
  • 年月日: 2009-10-06
• [学会発表] SrO/La_2O_3/CeO_2/Si(100)構造の熱安定性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 野平博司
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学 五福キャンパス
  • 年月日: 2009-09-08