| 研究課題/領域番号 |
21560037
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
石井 真史 独立行政法人物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, 主任研究員 (90281667)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 薄膜・表面界面物性(A)薄膜 / 光物性 / 半導体物性 / 誘電体物性 / 誘電緩和 / 希土類添加 / 電荷移動 / 発光デバイス |
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| 研究概要 |
光電子デバイスの材料として注目されている希土類添加半導体について、発光機構を電気測定(電荷の動的挙動)により分析する光励起-誘電緩和法を提案し、装置を開発した。装置を使って、サマリウムを添加した酸化チタンなどの室温発光材料の発光素過程を選択的かつ定量的に分析することに成功した。また、消光をもたらす電荷の散逸過程も同手法で見出した。更に、発光・消光を起こす酸化チタン微結晶界面の特性を詳らかにすることが出来た。
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