| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| 研究概要 |
2～5W/cm^<2>の放電電力のもと, 0.05～0.10nm/sの堆積速度で窒化チタン薄膜が得られるような反応性スパッタの環境で,膜への酸素混入の機構を探った。この条件では,酸素分圧が1×10^<-5> Pa以下では膜にOの混入は見られない。1×10^<-4> Paを超えるとOが検出されるようになるが,放電電力をあげることでTi原子のスパッタ放出が増え,そのゲッタリング効果によって雰囲気の残留酸素は減り,薄膜の純度が上がる。ここで,放電をパルス化させると,低めの放電電力でより純度の高い膜が得られることがわかった。しかし,電力を高めるにつれ,製膜速度の伸びは緩やかとなり,大電力では直流スパッタの効率と同程度になった。
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