| 研究課題/領域番号 |
21560294
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
矢野 浩司 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 (90252014)
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| 連携研究者 |
田中 保宣 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 (20357453)
八尾 勉 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 非常勤研究員 (10399503)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | パワーエレクトロニクス / パワーデバイス / ワイドバンドギャップ / SiC |
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| 研究概要 |
超低損失パワーデバイスである炭化珪素の埋め込みゲート静電誘導トランジスタ(SiC-BGSIT)において、高温信頼性試験を実施した。雰囲気温度125℃において5A, 1300Vサンプル素子に1000Vを印加し、1000時間連続遮断試験を実施したところ、試験期間中に素子特性の顕著な変動は確認されなかった。これは同デバイス動作で重要なチャネル領域を形成するプロセスが的確に行われていることを意味し、SiC-BGSITの信頼性の高さを予測させるものである。
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