| 研究課題/領域番号 |
21560320
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北見工業大学 |
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研究代表者 |
武山 真弓 (武山 眞弓) 北見工業大学, 工学部・電気電子工学科, 准教授 (80236512)
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| 研究分担者 |
野矢 厚 北見工業大学, 工学部, 教授 (60133807)
町田 英明 気相成長(株), 代表取締役 (30535670)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | ナノ材料 / ホウ化物 / 抵抗率 / ナノコンポジット / Zr-B |
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| 研究概要 |
本研究では、ZrB_2薄膜に固有の電気的・化学的特性が非化学量論組成の薄膜においても保持されるのかどうかを検討するため、Zr-richな組成のZrB_x膜を作製し、その特性をCu配線のメタルキャップ層への応用を念頭において調べた。その結果、酸素を含むZr-richなZrB_x膜が得られ、そのような組成であっても、基本的にはZrB_2相が得られることが明らかとなった。またそのような場合には、500℃熱処理後においてもCuのZrB_x膜方向への拡散や酸化も起こらず、かつZr-richな組成であるにもかかわらず、CuとZrB_x膜との反応も生じないことがわかった。一方、Cu/SiO_2間の拡散バリヤ特性についても、既に500℃程度までは十分に優れたバリヤ性を示すことが明らかであるので、ZrB_x膜は、基本的にZrB_2相が得られる場合には、拡散バリヤとしてもメタルキャップ層としても十分に適用可能である優れた材料の一つであることが明らかとなった。
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