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FIBマスクレス選択成長による極微半導体デバイス構造のその場形成に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 21560327
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関豊橋技術科学大学

研究代表者

朴 康司  豊橋技術科学大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10124736)

研究期間 (年度) 2009 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
キーワード選択成長 / 化合物半導体 / ガリウムヒ素 / 集束イオンビーム / FIB / 不純物ドー / 不純物ドーピング / 両性不純物
研究概要

III-V族化合物半導体のマスクレス選択成長技術は、光・電子集積回路などの次世代デバイス開発に有用であると考えられる。本研究では、Snのドーピング濃度を増やしたSn high doped-Ga LMIS(液体金属イオン源)を用いGaAs選択成長を行い、抵抗率、ホール効果測定などによりドーピング濃度やキャリアタイプがどのようになるかを詳細に調べた。その結果、実験条件により、p型やn型のGaAsが成長できることが分かった。これを用い、GaAsのpn接合デバイスを世界で初めて、リソグラフィー技術なしに、マスクレスで形成できた。

報告書

(4件)
  • 2011 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (7件)

すべて 2011 2010 2009 その他

すべて 学会発表 (6件) 備考 (1件)

  • [学会発表] Study of maskless selective growth and evaluation of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2011

    • 著者名/発表者名
      M. Mokhtar, M. Ishikawa, M. Hisada and K. Pak
    • 学会等名
      30^<th> Electronic Material Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • 年月日
      2011-06-30
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Study of maskless selective growth and evaluation of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2011

    • 著者名/発表者名
      M.Mokhtar, M.Ishikawa, M.Hisada, K.Pak
    • 学会等名
      30^h Electronic Material Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • 年月日
      2011-06-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] A study of in-situ doping on maskless selective growth of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2010

    • 著者名/発表者名
      H.Takeda, M.Mokhtar, M.Ishikawa, K.Pak
    • 学会等名
      29^<th> Electronic Material Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Izu, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2010-07-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] A study of in-situ doping on maskless selective growth of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2010

    • 著者名/発表者名
      H. Takeda, M. Mokhtar, M. Ishikawa, and Pak
    • 学会等名
      29^<th> Electronic Material Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2010-07-14
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Maskless selective growth and doping of n-GaAs using a low energy Sn-Ga focused ionbeam2009

    • 著者名/発表者名
      T. Suzuki, K. Nobuhara, H. Takeda, M. Mokhtar and K. Pak
    • 学会等名
      28^<th> Electronic Material Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • 年月日
      2009-07-09
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Maskless selective growth and doping of n-GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2009

    • 著者名/発表者名
      T. Suzuki, K. Nobuhara, H. Takeda, M. Mokhtar, K. Pak
    • 学会等名
      28^<th> Electronic Material Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • 年月日
      2009-07-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.int.ee.tut.ac.jp/paklab/

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書

URL: 

公開日: 2009-04-01   更新日: 2016-04-21  

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