| 研究課題/領域番号 |
21560327
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 豊橋技術科学大学 |
|---|
研究代表者 |
朴 康司 豊橋技術科学大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10124736)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
|
|---|
| キーワード | 選択成長 / 化合物半導体 / ガリウムヒ素 / 集束イオンビーム / FIB / 不純物ドー / 不純物ドーピング / 両性不純物 |
|---|
| 研究概要 |
III-V族化合物半導体のマスクレス選択成長技術は、光・電子集積回路などの次世代デバイス開発に有用であると考えられる。本研究では、Snのドーピング濃度を増やしたSn high doped-Ga LMIS(液体金属イオン源)を用いGaAs選択成長を行い、抵抗率、ホール効果測定などによりドーピング濃度やキャリアタイプがどのようになるかを詳細に調べた。その結果、実験条件により、p型やn型のGaAsが成長できることが分かった。これを用い、GaAsのpn接合デバイスを世界で初めて、リソグラフィー技術なしに、マスクレスで形成できた。
|
