| 研究課題/領域番号 |
21560329
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 島根大学 |
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研究代表者 |
北原 邦紀 島根大学, 総合理工学部, 教授 (60304250)
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| 連携研究者 |
原 明人 東北学院大学, 工学部, 教授 (20417398)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 電気電子材料 / シリコン / ゲルマニュウム / 薄膜 / レーザ結晶化 / 電気・電子材料 |
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| 研究概要 |
連続発振レーザ横方向結晶化(CLC)法によりガラス基板上にSiおよびSiGe薄膜のフロー状成長を実現した. CLCは薄膜トランジスタ(TFT)中のチャネル電流に対する粒界の効果の低減および結晶粒中の欠陥低減に有効である. SiにGeを混合すると形状がフロー状から超横方向成長へと変化し,その結果擬似単結晶が形成される.この結果は,合金固有の組成的過冷却により説明できる. Geの偏析,結晶境界の配置, TFT特性に対する評価も行った.
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