| 研究課題/領域番号 |
21560331
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
浅田 裕法 山口大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (70201887)
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| 研究分担者 |
仙波 伸也 宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 准教授 (40342555)
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| 連携研究者 |
小柳 剛 山口大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (90178385)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2009年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | スピンフィルタ / 強磁性半導体 / 強磁性トンネル接合 / スピンエレクトロニクス / IV-VI族半導体 |
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| 研究概要 |
p型伝導を示す強磁性半導体Ge_<1-x> Mn_xTeと強磁性EuS障壁からなるスピンフィルタ型磁気トンネル接合(SF-MTJ)の成長と特性評価を行った。その結果、分子線エピタキシー法によるBaF_2(111)基板上へのフルエピタキシャルSF-MTJ(Ge_<1-x> Mn_x Te/ EuS/ GeTeおよびGe_<1-x> Mn_x Te/ GeTe/ EuS/ GeTe)の成長に成功するとともに、MR比は小さいもののホールによるスピンフィルタ効果を確認した。また、成長方向を変える目的からInP(001)基板上へのエピタキシャル積層膜を得た。
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