| 研究課題/領域番号 |
21560334
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
加藤 喜峰 九州大学, 工学研究院, 准教授 (60380573)
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| 連携研究者 |
堤井 君元 九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 准教授 (10335995)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など) / 結晶成長 / シリコンカーバイド / ナノ結晶ダイヤモンド / マイクロ波プラズマＣＶＤ / ＳｉＣ / 電気・電子材料 / ダイヤモンド / CVD / SiC / ナノ結晶 / マイクロ波 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は安価なSi基板上にSiC(シリコンカーバイド)/ナノ結晶ダイヤモンド(NCD)ダイオードデバイスを製作し、将来のパワーデバイス応用への基盤技術を確立することにある。p型Si基板上にSiC薄膜を成長させ、その上にn-NCDを成膜することによりpnダイオードを製作する事に成功した。
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