| 研究課題/領域番号 |
21560338
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 金沢工業大学 |
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研究代表者 |
會澤 康治 金沢工業大学, 工学部, 教授 (40222450)
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| 研究分担者 |
得永 嘉昭 金沢工業大学, 工学部, 教授 (00072174)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 薄膜・量子構造 / 電気・電子材料 / 強誘電体 / 蛍光体 / Eu添加SBT / BST / 分極特性 / EL発光 / ナノ構造 / 不揮発性メモリ / エレクトロスミネセンス / STO単結晶基板 / スピンコート法 / フォトルミネッセンス(PL) / ヒステリシス特性 / 回転輻射乾燥法 / 積層構造 / PVDF / TrFE / SBT:Eu |
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| 研究概要 |
本研究では、光・電子融合型不揮発性メモリ実現のための強誘電体/蛍光体ナノ積層構造の諸特性を調べた。特にSrTiO_3(110)基板上のゾルゲル強誘電体(Ba_<0.6> Sr_<0.4>) TiO_3(BST)/蛍光性強誘電体(Sr_<0.8> Eu_<0.2>) Bi_2Ta_2O_9(Eu-SBT)積層構造の結晶性、電気的特性および光学特性を初めて明らかにした。作製した構造において、Eu-SBT膜は部分的に(116)配向した結晶を含み分極-電圧特性は自発分極反転によるヒステリシスを示した。またフォトルミネッセンスおよびエレクトロルミネッセンス測定からBST/Eu-SBT構造はEu^(3+)イオンに起因する発光を示した。BST/Eu-SBT/STO(110)構造は光・電子融合型不揮発性メモリに有望であると結論した。
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