| 研究課題/領域番号 |
21560342
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 福岡工業大学 |
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研究代表者 |
今村 正明 福岡工業大学, 工学部, 教授 (40111794)
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| 研究分担者 |
山口 俊尚 福岡工業大学, 工学部, 教授 (50037925)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2009年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | MBE / エピタキシャル / 磁性半導体 / 超格子 / スピントロニクス |
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| 研究概要 |
II-VI族で広いバンド幅を持つ磁性半導体は、緑色また青色半導体レーザへ光素子としての応用可能性を持つ。研究の主な対象とするZnMnTeとZnMnSeは、光吸収端がそれぞれ428-544nm、428-458nmである。結晶性では、ZnMnTeとZnMnSeにおいて、CdMnTeで最も優勢に観測される<111>成長が同様に観測された。本研究では、主に石英ガラス上に2.mの厚さに堆積させたそれらの膜のファラデー回転(光磁気特性)を研究し、532nmの緑色半導体レーザにその特性が適合することを明らかにした。また交流磁界下のファラデー回転を観測し、光磁気センサ応用の可能性を示した。
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