研究課題/領域番号 |
21560343
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 奈良工業高等専門学校 |
研究代表者 |
藤田 直幸 奈良工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (90249813)
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研究分担者 |
平井 誠 奈良工業高等専門学校, 電気工学科, 准教授 (00534455)
西野 悟 奈良工業高等専門学校, 物質化学工学科, 講師 (20413817)
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連携研究者 |
伊崎 昌伸 豊橋技術科学大学, 教授 (30416325)
品川 勉 大阪市立工業研究所, 研究員 (50416327)
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研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | 無電解析出 / 金属-酸化物コンポジット / 金属-高分子コンポジット / 金属-絶縁物コンポジット / 金属-絶縁物同時無電解析出法 / グラニュラ薄膜 / ウェットプロセス / 磁性薄膜 / 金属-絶縁物コンポジット薄膜 / 化学反応 / 溶液成膜 |
研究概要 |
Co-Ce-O薄膜を新しく開発した金属-酸化物同時無電解析出法という化学的な手法により作成した。この方法は、金属と酸化物を同時に析出させるものである。析出条件は、電位-pH図によって熱力学的に求めた。膜中のCo含有量は、0~100%まで、溶液中のCoSO4濃度により変化させることができた。Co-Ce-O薄膜は、約10at.%程度のBが含まれており、Coがアモルファス状態になっていると思われる。
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