| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| 研究概要 |
小型ディスプレイパネルに要求されるGaN(窒化ガリウム)系発光素子は,大面積に配置することが必要であると共に,大幅な低価格化が要求される.そこで、本研究では,基本的な素子構造としてショットキー型構造に着目し,検討した結果,表面改質法としてアルミニウムフェースパック法を用いることにより低コストに素子特性向上が行えることがわかった.また,近紫外透明電極としてMgZnO(酸化マグネシウム亜鉛)薄膜を提案し,その製作を行った.
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