| 研究課題/領域番号 |
21560365
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
高梨 良文 東京理科大学, 基礎工学研究科, 教授 (30318224)
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| 研究分担者 |
田口 博久 中京大学, 情報理工学部, 准教授 (30453830)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 集積回路 / 光検出デバイス / III-V化合物半導体 / 超高速応答 / Auger再結合 |
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| 研究概要 |
InAsに近い組成のInGaAsをチャネルとする歪HEMTを試作した。ネットワークアナライザで高周波特性を評価したところ、ゲート長が0.1μmのトランジスタで電流遮断周波数として200GHzを超える特性を得た。また、InGaAsをチャネルとする歪MSM-PDを試作した。L & Sが0.2/0.6μmのMSM-PDについて、フェムト秒レーザを用いて光応答を評価したところ、20 psec以下の高速応答を得た。以上の優れた特性は、チャネルに電子速度が大きいInAsを用いたことにより説明できる。また、チャネル厚が10 nmと薄層にも拘わらず、1を超えるRespnsivity(光感度)を得た。歪HEMTと同一基板上に歪MSM-PDを作製すれば超高速のOEICを実現することがが可能であり、高速・広帯域光通信システムへの応用が期待される。
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