| 研究課題/領域番号 |
21560368
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
伊藤 彰義 日本大学, 理工学部, 教授 (60059962)
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| 連携研究者 |
塚本 新 日本大学, 理工学部, 講師 (30318365)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | データストレージ / 自己組織化 / ナノスケール凹凸 / 複合材料・物性 / 熱アシス / 熱アシスト記録 |
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| 研究概要 |
FePt孤立微粒子媒体につき、近接場光アシスト記録過程のモデル計算を行い単一微粒子の磁化反転条件を明らかにした。また、2種のナノ構造基板上へ、高速昇温加熱法によりFePt、FeCuPt微粒子を形成した。自己組織化法により作成した配列周期14nmの表面ナノ凹部を有する基板、ディップコートにより粒径18nmのナノシリカ球を単層相当塗布した基板である。いずれも、磁性微粒子の平均径の減少、面内粒子数密度の増大に寄与した。
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