| 研究課題/領域番号 |
21560373
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 神奈川工科大学 |
|---|
研究代表者 |
黄 啓新 神奈川工科大学, 創造工学部, 教授 (30257414)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
|
|---|
| キーワード | 化合物半導体 / 犠牲層エッチング / 磁気センサー / ホールセンサー / 三次元 / 薄膜ボンディング / 貫通電極 / 3軸ホールセンサ / プレーナー構造 / 計測技術 / 3軸ホールセンサー / 貫通技術 / サンドブラスト加工 |
|---|
| 研究概要 |
本研究では、犠牲層エッチング技術を用いて、化合物半導体であるGaAs薄膜を誘電体基板やSi等他の基板上にボンディングし、平面構造上でx、y、z方向の配置ができ、信号処理回路との集積化が可能、小型化・空間高分解能をもつ三次元磁気センサーアレイの作製技術を開発した。我々は要素技術である貫通電極形成技術、三次元センサーアレイパターン形成技術、層間絶縁薄膜の形成技術の条件を検討した。その上で三次元磁気センサーを作製し、基本特性を評価した。実験結果は本技術の可能性を示した。
|
