研究課題/領域番号 |
21560375
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 静岡理工科大学 |
研究代表者 |
波多野 裕 静岡理工科大学, 理工学部, 教授 (80238013)
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研究期間 (年度) |
2009-04-01 – 2014-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2013年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2012年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2011年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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キーワード | 電子デバイス・機器 / デバイス設計、シミュレーション / 放射線、粒子線、宇宙線 / デバイス設計 / 放射線、粒子線 / 宇宙線 / シミュレーション |
研究概要 |
宇宙空間の荷電粒子によるシングル・イベント効果に起因する回路誤動作に対する耐性を強化した耐放射線性システムLSIを設計するための基盤技術を、カスケード電圧スイッチ論理(CVSL)、高速ゲート、ニューロン・デバイスの導入により検討した。SET効果に対するシミュレーション技術により、スタティック形CVSL回路とクロック形CVSL(C2VSL)回路を従来の複合ゲートCMOS回路と比較して、前者は2桁以上の、後者は1桁以上のSET耐性向上を明らかにした。また、C2VSL回路とCVSL回路により、全加算器と半加算器を設計試作して、試作チップの実測により、それぞれの回路の機能動作の確認に成功した。
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