| 研究課題/領域番号 |
21560381
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
山本 和弘 独立行政法人産業技術総合研究所, 計測フロンティア研究部門, 主任研究員 (90358292)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | イオン注入 / シリコン / ボロン / 超低エネルギー / 極浅接合 / 超低エネルギーイオン |
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| 研究概要 |
本研究では、実用的な10^<-5> Paの高真空下でシリコン半導体に対して500eV以下の超低エネルギーイオンビームを用いたボロンイオン注入技術を開発することにより、シリコン結晶中へのなだれ現象的な多量の欠陥の形成を抑制し、結晶性回復のための熱処理による拡散を抑制した極浅接合形成プロセスを開発した。300eV以下のボロンイオン注入により結晶性が良好で15nm以下のボロン注入層を形成することができた。
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