透過電子顕微鏡その場計測システムの開発とナノエレクトロニクスへの応用

• 研究課題/領域番号: 21560681
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 金属物性
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 有田 正志 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 准教授 (20222755)
• 研究分担者: 高橋 庸夫 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (90374610) ; 末岡 和久 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (60250479) ; 柴山 環樹 北海道大学, マテリアル融合領域研究センター, 准教授 (10241564)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
• キーワード: 電子顕微鏡 / その場計測 / 抵抗変化型メモリー / 磁気抵抗効果 / 単電子デバイス

研究概要

近年,マイクロ・ナノ領域での幾何学的構造変化現象,磁気的微細構造変化現象を用いたデバイス開発が行われている.本研究では,透過電子顕微鏡(TEM)その場計測手法をこれらの研究に役立てるために,ピエゾ駆動TEMホルダー(TEM-STMホルダー),磁場印加用コイル搭載TEMホルダー(TEM-MFホルダー)およびそのシステムを開発した.これらを抵抗変化メモリー(ReRAM)および磁区パターンに応用し,その有用性を確認した.ReRAM材料においては抵抗スイッチ時の導電性フィラメントの形成・消失を,また磁性パターン膜においては磁場印加による磁壁移動を実時間計測により確認できた.

研究成果

• [雑誌論文] Resistance switching properties of molybdenum oxide films (2012)
  • 著者名/発表者名: M.Arita, H.Kaji, T.Fujii, Y.Takahashi
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 520 号: 14 ページ: 4762-4767
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.174
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of Resistance Switching and Conductive Filaments inside Cu-GeS by Using In-situ Transmission Electron Microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii, M.Arita, Y.Takahashi, I.Fujiwara
  • 雑誌名: Journal of Materials Research 巻: 26 号: 6 ページ: 886-896
  • DOI: 10.1557/jmr.2011.437
  • 査読あり
• [雑誌論文] In-situ TEM observation of electro-migration in Au thin wires (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Murakami, M. Arita, K. Hamada, Y. Takahashi
  • 雑誌名: J. Nanosci. Nanotech.
  • URL: http://www.aspbs.com/jnn/
  • 査読あり
• [雑誌論文] In-situ TEM Observation of Electromigration in Au Thin Wires (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Murakami
  • 雑誌名: Journal of Nanoscience and Nanotechnology 巻: (Accepted for publication) ページ: 1-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] I-V measurement of NiO nano-region during observation by transmission electron microscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Fujii, M. Arita, K. Hamada, H. Kondo, H. Kaji, Y. Takahashi, M. Moniwa, I. Fujiwara, T. Yamaguchi, M. Aoki, Y. Maeno, T. Kobayashi, M. Yoshimaru
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: 109 号: 5
  • DOI: 10.1063/1.3553868
  • NAID: 120003043353
  • 査読あり
• [雑誌論文] In-situ TEM Analysis of Conductive Filament in a Solid Electrolyte Resistance Switching (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii, M.Arita, Y.Takahashi, I.Fujiwara
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 98 号: 21 ページ: 59-64
  • DOI: 10.1063/1.3593494
  • 査読あり
• [雑誌論文] The Observation of "Conduction Spot" on NiO Resistance Random Access Memory (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Kondo, M.Arita, T.Fujii, H.Kaji, M.Moniwa, T.Yamaguchi, I.Fujiwara, M.Yoshimaru, Y.Takahashi
  • 雑誌名: Japanese Jounal of Applied Physics 巻: 50 号: 8R ページ: 081101-081101
  • DOI: 10.1143/jjap.50.081101
  • 査読あり
• [雑誌論文] In-Situ Transmission Electron Microscopy Analysis of Conductive Filament in Resistance Random Access Memories (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Takahashi, T.Fujii, M.Arita, I.Fujiwara
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 41 号: 7 ページ: 81-92
  • DOI: 10.1149/1.3633287
  • 査読あり
• [雑誌論文] Si単電子トランジスタにおける光照射による単-キャリアトラップ生成と電気伝導特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 篠原迪人
  • 雑誌名: 信学技報 巻: 110 ページ: 63-66
• [雑誌論文] Si Nanodot Device Fabricated by Thermal Oxidation and their Applications (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Takahashi
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 470 ページ: 175-183
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of electrode and interface oxide on the property of ReRAM composed of Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3 (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Kaji, H. Kondo, T. Fujii, M. Arita, Y. Takahashi
  • 雑誌名: IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 巻: 8 ページ: 012032-012032
  • DOI: 10.1088/1757-899x/8/1/012032
  • 査読あり
• [雑誌論文] I-V hysteresis of Pr_<0.7>Ca_<0.3> MnO_3 during TEM observation (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Fujii, H. Kaji, H. Kondo, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
  • 雑誌名: IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 巻: 8 ページ: 012033-012033
  • DOI: 10.1088/1757-899x/8/1/012033
  • 査読あり
• [雑誌論文] The influence of annealing temperature on ReRAM characteristics of metal /NiO/metal structure (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Kondo, H. Kaji, T. Fujii, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
  • 雑誌名: IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 巻: 8 ページ: 012034-012034
  • DOI: 10.1088/1757-899x/8/1/012034
  • 査読あり
• [雑誌論文] I-V measurement of NiO nanoregion during observation by transmission electron microscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 109
  • 査読あり
• [雑誌論文] I-V hysteresis of Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3 during TEM observation (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 雑誌名: Materials Science and Engineering 8
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of electrode and interface oxide on the property of ReRAM composed of Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3 (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Kaji
  • 雑誌名: Materials Science and Engineering 8
  • 査読あり
• [雑誌論文] The influence of annealing temperature on ReRAM characteristics of metal/NiO/metal structure (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Kondo
  • 雑誌名: Materials Science and Engineering 8
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Jo
  • 雑誌名: Thin Solid Films 518
  • 査読あり
• [雑誌論文] Thin film deposition and characterization of pure and irondoped electron-beam evaporated tungsten oxide for gas sensors (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Tesfamichael
  • 雑誌名: Thin Solid Films doi : 10.1016/j.tsf.2010.01.037 ページ: 1-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sur-face magnetic structure of epitaxial magnetite thin films grown on MgO(001) (2009)
  • 著者名/発表者名: E. Kaji, A. Subagyo, M. Arita, K. Sueoka
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: 105 号: 7
  • DOI: 10.1063/1.3089493
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface magnetic structure of epitaxial magnetite thin films grown on MgO(001) (2009)
  • 著者名/発表者名: E.Kaji
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 105(7)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-electron device with Si nanodot array and multiple input gates (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Kaizawa
  • 雑誌名: IEEE Transactions on nanotechnology 8(4) ページ: 535-541
  • 査読あり
• [雑誌論文] Full adder operation based on Si nanodot array device with multiple inputs and outputs (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Kaizawa
  • 雑誌名: International Journal of Nanotechonology and Molecular Computation 1(2) ページ: 58-69
  • 査読あり
• [学会発表] MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 石川琢磨
  • 学会等名: 応用物理学会 2012年春季講演大会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] TEM-STMを用いたReRAMスイッチング現象のその場観察 (2012)
  • 著者名/発表者名: 有田正志
  • 学会等名: ReRAMワークショップ
  • 発表場所: 物材機構,つくば
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 抵抗変化メモリ動作のTEMその場観察を念頭においた試料作製法の開発 (2012)
  • 著者名/発表者名: 工藤昌輝
  • 学会等名: 応用物理学会講演会
  • 発表場所: 早大,東京
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 反応性スパッタにより作製したMoO_x薄膜の抵抗スイッチ特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高見澤圭佑
  • 学会等名: 応用物理学会 2012年春季講演大会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 抵抗変化メモリ動作のTEMその場観察を念頭においた試料作製法の開発 (2012)
  • 著者名/発表者名: 工藤昌輝
  • 学会等名: 応用物理学会 2012年春季講演大会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] エレクトロマイグレーションによるAu細線内微細構造変化のTEMその場観察 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村上暢介
  • 学会等名: 応用物理学会 2012年春季講演大会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] TEM-STMを用いたReRAMスイッチング現象のその場観察 (2012)
  • 著者名/発表者名: 有田正志
  • 学会等名: ReRAMワークショップ(元素戦略プロジェクトNIMSチーム)
  • 発表場所: NIMS(つくば)(招待講演)
  • 年月日: 2012-03-13
• [学会発表] 固体電解質ReRAMのTEMその場観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 藤井孝史
  • 学会等名: 日本顕微鏡学会北海道支部講演会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌)
  • 年月日: 2011-12-10
• [学会発表] Au細線を用いたElectromigrationによる形状変化のTEM内同時観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村上暢介
  • 学会等名: 日本顕微鏡学会北海道支部講演会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌)
  • 年月日: 2011-12-10
• [学会発表] In-situ transmission electron microscopy analysis of conductive filament in resistance random access memories (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Takahashi
  • 学会等名: 220th ECS Meeting
  • 発表場所: Westin Boston Waterfront, Boston
  • 年月日: 2011-10-11
• [学会発表] In Situ Transmission Electron Microscopy Analysis of Conductive Filament in Resistance Random Access Memories (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Takahashi
  • 学会等名: 220th ECS Meeting
  • 発表場所: Boston Convention and Exhibition Center, Boston, MA, USA(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-11
• [学会発表] In-situ TEM observation for formation of Au nanowires and nanogaps caused by electromigration (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Murakami
  • 学会等名: 2011 SSDM
  • 発表場所: WINC AICHI , Nagoya
  • 年月日: 2011-09-29
• [学会発表] In-situ TEM Observation for Formation of Au Nanowires and Nanogaps caused by Electromigration (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Murakami
  • 学会等名: SSDM 2011
  • 発表場所: Aichi Industry & Labor Center (Nagoya, Japan)
  • 年月日: 2011-09-29
• [学会発表] 透過型電子顕微鏡によるエレクトロフマイグレーションのその場観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村上暢介
  • 学会等名: 応用物理学会、2011年秋季講演大会
  • 発表場所: 山形大学(山形市)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Mo酸化物薄膜の抵抗スイッチ特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 有田正志
  • 学会等名: 応用物理学会、2011年秋季講演大会
  • 発表場所: 山形大学(山形市)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Co酸化物を用いたモノポーラ動作ReRAMにおける多値動作の可能性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 川西敬仁
  • 学会等名: 応用物理学会、2011年秋季講演大会
  • 発表場所: 山形大学(山形市)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 固体電解質ReRAMのフィラメント形成観察とその組成分析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 藤井孝史
  • 学会等名: 応用物理学会、2011年秋季講演大会
  • 発表場所: 山形大学(山形市)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] In-situ TEM Observation of electromigration in Au thin wires (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Murakami
  • 学会等名: EMRS ICAM IUMRS 2011
  • 発表場所: Nice
  • 年月日: 2011-05-10
• [学会発表] Lorentz microscopy observations of MgO/Fe-nanodot/MgO granular films (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Kudo
  • 学会等名: EMRS ICAM IUMRS 2011
  • 発表場所: Congress Center, Nice
  • 年月日: 2011-05-10
• [学会発表] Resistance switching properties of molybdenum oxide films (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Arita
  • 学会等名: EMRS ICAM IUMRS 2011
  • 発表場所: Congress Center, Nice
  • 年月日: 2011-05-10
• [学会発表] In-situ TEM Observation of Electromigration in Au Thin Wires (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Murakami
  • 学会等名: E-MRS ICAM IUMRS 2011 Spring Meeting
  • 発表場所: Congress Center, Nice France
  • 年月日: 2011-05-10
• [学会発表] Lorentz microscopy observations of MgO/Fe-nanodot/MgO granular films (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Kudo
  • 学会等名: E-MRS ICAM IUMRS 2011 Spring Meeting
  • 発表場所: Congress Center, Nice, France
  • 年月日: 2011-05-10
• [学会発表] Resistance switching properties of molybdenum oxide films (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Arita
  • 学会等名: E-MES ICAM IUMRS 2011 Spring Meeting
  • 発表場所: Congress Center, Nice, France
  • 年月日: 2011-05-10
• [学会発表] In-situ TEM analysis of conductive filament in a solid electrolyte resistance RAM (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Fujii
  • 学会等名: 2011 MRS
  • 発表場所: Moscone West Convention Center, San Fransisco
  • 年月日: 2011-04-28
• [学会発表] In-situ TEM Analysis of Conductive Filament in a Solid Electrolyte Resistance RAM (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 学会等名: 2011 MRS Spring Meeting
  • 発表場所: Moscone West Convention Center, San Fransisco, CA, USA
  • 年月日: 2011-04-28
• [学会発表] Si単電子トランジスタにおける光照射による単-正孔トラップと電気伝導特性の変化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 篠原迫人
  • 学会等名: 春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 講演会中止に伴い,CD予稿集による発表
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 固体電解質ReRAMにおけるフィラメント形成過程のTEM観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 藤井孝史
  • 学会等名: 春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 講演会中止に伴い,CD予稿集による発表
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] Au細線を用いたエレクトロマイグレーションのTEM内同時観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村上暢介
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 講演会中止に伴い,CD予稿集による発表
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] Si単電子トランジスタにおける光照射による単-キャリアトラップ生成と電気伝導特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 篠原迫人
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究報告
  • 発表場所: 北海道大,札幌
  • 年月日: 2011-02-24
• [学会発表] The Analysis of "Conducting Spot" on NiO Resistance RAM (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 学会等名: GCOE-NGIT-2011
  • 発表場所: Hokakido Univ.Sapporo, Japan
  • 年月日: 2011-01-19
• [学会発表] In-situ TEM Analysis of Conductive Filament in a Solid Electrolyte Resistance RAM (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 学会等名: GCOE NGIT-2011
  • 発表場所: Hokkaido Univ.Sapporo, Japan
  • 年月日: 2011-01-18
• [学会発表] RIEを用いて作製したCoOReRAMデバイスの特性評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 川西敬仁
  • 学会等名: 第46回応用物理学会北海道支部学術講演会
  • 発表場所: 室蘭工大,室蘭
  • 年月日: 2011-01-08
• [学会発表] Si単電子トランジスタにおける単-キャリアトラップによる電気伝導特性の変化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 篠原迫人
  • 学会等名: 第46回応用物理学会北海道支部学術講演会
  • 発表場所: 室蘭工大,室蘭
  • 年月日: 2011-01-08
• [学会発表] MgO/Feナノドット/MgO薄膜における電気的・磁気的特性のFe膜厚依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石川琢磨
  • 学会等名: 第46回応用物理学会北海道支部学術講演会
  • 発表場所: 室蘭工大,室蘭
  • 年月日: 2011-01-07
• [学会発表] Analysis of Tunneling Potential Structure of Si SETs Formed by Pattern-Dependent Oxidation (2010)
  • 著者名/発表者名: Yuki Kato
  • 学会等名: Seventh International Conference on Flow Dynamics Workshop
  • 発表場所: Sendai, Japan
  • 年月日: 2010-11-01
• [学会発表] TEM内同時観察を用いたNiO薄膜のフィラメント形成評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 藤井孝史
  • 学会等名: 若手研究者支援のための産学協同GCOEシンポジウム2010
  • 発表場所: 北海道大,札幌
  • 年月日: 2010-09-30
• [学会発表] 電磁石搭載型TEMホルダーシステムの作製とパーマロイディスクへの応用 (2010)
  • 著者名/発表者名: 有田正志
  • 学会等名: 日本金属学会2010年秋期講演大会
  • 発表場所: 北海道大学,札幌
  • 年月日: 2010-09-27
• [学会発表] 抵抗変化型メモリ材料NiOの電圧印加時におけるTEMその場観察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 有田正志
  • 学会等名: 日本金属学会2010年秋期講演大会
  • 発表場所: 北海道大学,札幌
  • 年月日: 2010-09-27
• [学会発表] The observation on conduction spot in NiO resistance RAM (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Fujii
  • 学会等名: 2010 SSDM
  • 発表場所: Univ. Tokyo, Tokyo
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] The observation on "conduction spot" in NiO resistance RAM (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 学会等名: 2010 Int.Conf.Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] エレクトロマイグレーションを用いた金のナノギャップ作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 村上暢介
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大,長崎
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 透過型電子顕微鏡によるNiO薄膜のフィラメント形成評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 藤井孝史
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 長崎大,長崎
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] 磁場印加機構を持ったローレンツ観察用TEMホルダーの開発と磁性薄膜その場観察への応用 (2010)
  • 著者名/発表者名: 徳田良平
  • 学会等名: 日本磁気学会講演会
  • 発表場所: 国際会議場,つくば
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] 磁場印加機構を持ったローレンツ観察用TEMホルダーの開発と磁性薄膜その場観察への応用 (2010)
  • 著者名/発表者名: 徳田良平
  • 学会等名: 第34回日本磁気学会学術講演会
  • 発表場所: つくば国際会議場つくば
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] Analysis of Tunneling Potential of Si SETs Fabricated by Pattern-Dependent Oxidation (2010)
  • 著者名/発表者名: Yuki Kato
  • 学会等名: IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Honolulu, Hawaii, USA
  • 年月日: 2010-06-14
• [学会発表] I-V measurement of nano-region NiO in transmission electron microscope (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Fujii
  • 学会等名: EMRS 2010
  • 発表場所: Congress Center, Strasbourg
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] TEM holder generating in-plane magnetic field and its application on thin permalloy films (2010)
  • 著者名/発表者名: R. Tokuda
  • 学会等名: EMRS 2010
  • 発表場所: Congress Center, Strasbourg
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] I-V measurement of nano-region NiO in transmission electron microscope (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 学会等名: E-MRS Spring Meeting 2010
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] TEM holder generating in-plane magnetic field and its application on thin permallo films (2010)
  • 著者名/発表者名: Ryohei, Tokuda
  • 学会等名: E-MRS 2010 Spring Meeting
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] Mo酸化物による抵抗変化型メモリの電気的特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 梶宏道
  • 学会等名: 応用物理学会春季講演大会,20a-TQ-7
  • 発表場所: 東海大学,藤沢
  • 年月日: 2010-03-20
• [学会発表] PADOX法によるSi単電子トランジスタの作製メカニズム解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 加藤勇樹
  • 学会等名: 応用物理学会春季講演大会,19a-B-5
  • 発表場所: 東海大学,藤沢
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] MgO/Feナノドット/MgO薄膜における電気抵抗のFe膜厚依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 石川琢磨
  • 学会等名: 日本金属学会北海道支部講演大会,A-12
  • 発表場所: 北大,札幌
  • 年月日: 2010-01-21
• [学会発表] 熱酸化により作製したCoO薄膜のReRAM特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 川西敬仁
  • 学会等名: 第45回応用物理学会北海道支部講演大会,B-8
  • 発表場所: 北大,札幌
  • 年月日: 2010-01-08
• [学会発表] Si単電子トランジスタにおけるゲート電圧によるキャパシタンスの変化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 加藤勇樹
  • 学会等名: 第45回応用物理学会北海道支部講演大会,C-32
  • 発表場所: 北大,札幌
  • 年月日: 2010-01-08
• [学会発表] TEM内電気伝導計測のための特殊ホルダー開発とその応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 有田正志
  • 学会等名: 顕微鏡学会北海道支部講演大会
  • 発表場所: 酪農大,江別
  • 年月日: 2009-12-12
• [学会発表] 【指定講演】TEM内電気伝導計測のための特殊ホルダー開発とその応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 有田正志
  • 学会等名: 顕微鏡学会北海道支部講演大会
  • 発表場所: 酪農学園大,江別
  • 年月日: 2009-12-12
• [学会発表] Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its single-electron transfer operation (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Jo
  • 学会等名: Internat. Symp.Adv.Nanost. Nano-Dev.(ISANN), P1-13
  • 発表場所: Sheraton Maui Resort & Spa, Kaanapali, Hawaii, USA
  • 年月日: 2009-12-09
• [学会発表] 電磁石搭載型ローレンツTEMホルダーの試作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 有田正志
  • 学会等名: 金属学会秋季講演大会,189
  • 発表場所: 京都大学,京都
  • 年月日: 2009-09-16
• [学会発表] 磁場印加機構を持ったローレンツTEMホルダーの開発と磁性薄膜への応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 徳田良平
  • 学会等名: 応用磁気学会講演大会,12aC-9
  • 発表場所: 長崎大学,長崎
  • 年月日: 2009-09-12
• [学会発表] マルチゲートナノドットアレイデバイスの論理機能特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 曹民圭
  • 学会等名: 秋季応用物理学会,10p-ZH-7
  • 発表場所: 富山大,富山
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] ReRAM応用に向けたNiO薄膜の熱酸化温度とフォーミング電圧の関係 (2009)
  • 著者名/発表者名: 近藤洋史
  • 学会等名: 秋季応用物理学会,9a-H-8
  • 発表場所: 富山大,富山
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] NiO微小領域の透過型電子顕微鏡内伝導計測 (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤井孝史
  • 学会等名: 秋季応用物理学会,8p-H-11
  • 発表場所: 富山大,富山
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] Cr, Moを上部電極としたPr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3によるReRAM特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 梶宏道
  • 学会等名: 秋季応用物理学会,8p-H-12
  • 発表場所: 富山大,富山
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] W/Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3/Pt構造によるReRAM特性と上部電極界面における酸化物の影響 (2009)
  • 著者名/発表者名: 梶宏道
  • 学会等名: STARCフォーラム/シシポジウム2008
  • 発表場所: 横浜
  • 年月日: 2009-08-25
• [学会発表] I-V hysteresis of Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3 during TEM observation (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 学会等名: Internat. Work. Photons & Spins in Nanostructures(IWPSN), P-9
  • 発表場所: Hokkaido Univ., Sapporo, Japan
  • 年月日: 2009-07-27
• [学会発表] Evaluation of a custom-made TEM holder generating in-plane magnetic field and its application on thin films showing magnetoresistance effect (2009)
  • 著者名/発表者名: R.Tokuda
  • 学会等名: Internat. Work. Photons & Spins in Nanostructures (IWPSN), P-9
  • 発表場所: Hokkaido Univ., Sapporo, Japan
  • 年月日: 2009-07-27
• [学会発表] シリコン熱酸化膜上に作成したMgO/Feナノドット/MgO構造薄膜の電気特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 工藤昌輝
  • 学会等名: 日本金属学会・日本鉄鋼協会両北海道支部合同夏季サマーセッション
  • 発表場所: 室蘭工大,室蘭
  • 年月日: 2009-07-24
• [学会発表] I-V hysteresis of Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3 in TEM observation (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Fujii
  • 学会等名: EMRS 2009
  • 発表場所: Congress Center, Strasbourg
  • 年月日: 2009-06-09
• [学会発表] Effect of tungsten oxide on ReRAM property of W/Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3/Pt structure (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Kaji
  • 学会等名: EMRS Spring Meeting, G5-10
  • 発表場所: Congress Centre, Strasbourg, France
  • 年月日: 2009-06-09
• [学会発表] I-V hysteresis of Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3 in TEM observation (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 学会等名: EMRS Spring Meeting, G5-11
  • 発表場所: Congress Centre, Strasbourg, France
  • 年月日: 2009-06-09
• [学会発表] The influence of annealing temperature on Re-RAM characteristics of metal/NiO/metal structure (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Kondo
  • 学会等名: EMRS Spring Meeting, G5-14
  • 発表場所: Congress Centre, Strasbourg, France
  • 年月日: 2009-06-09
• [学会発表] 磁場印加機構を持ったローレンツ観察用TEMホルダーの試作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 徳田良平
  • 学会等名: 日本顕微鏡学会講演会
  • 発表場所: 仙台国際センター,仙台
  • 年月日: 2009-05-27
• [学会発表] 透過型電子顕微鏡を用いたPr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3の伝導特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤井孝史
  • 学会等名: 日本顕微鏡学会第65回学術講演会
  • 発表場所: 仙台国際センター,仙台
  • 年月日: 2009-05-27
• [学会発表] 磁場印加機構を持ったローレンツ観察用TEMホルダーの試作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 徳田良平
  • 学会等名: 日本顕微鏡学会第65回学術講演会
  • 発表場所: 仙台国際センター,仙台
  • 年月日: 2009-05-27
• [学会発表] Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Jo
  • 学会等名: 6th Internat. Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-6)#660994
  • 発表場所: DoubleTree Hotel, El Segundo, California, USA
  • 年月日: 2009-05-19
• [学会発表] Fabrication of Coupled-dot single-electron transistors in silicon nanowire (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Jo
  • 学会等名: 2009 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW-09), Workshop Abstracts, pp. 155-156
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] (invited) : Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Takahashi
  • 学会等名: 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2009)
  • 発表場所: Busan, Korea
• [学会発表] Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Jo
  • 学会等名: 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2009)
  • 発表場所: Busan, Korea
• [学会発表] Logic switching characteristics of multiple-gate nanodot array device (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Jo
  • 学会等名: 1st Internat. Work. Si based nano-elect. &-photonics(SiNEP-09)
  • 発表場所: Vigo, Spain
• [学会発表] I-V measurement of Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3 during TEM observation (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Fujii
  • 学会等名: 2009 Int.Conf.Solid State Devices and Materials, K-2-5, pp.282-283(SSDM)
  • 発表場所: Sendai Kokusai Hotel, Sendai, Japan