| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| 研究概要 |
SrTiO_3(STO)界面修飾層を持つSi(001)基板上にBa(Fe_<0.2> Zr_<0.8>) O_<3-δ>(BFZO)室温強磁性誘電体薄膜を合成した. TEM解析の結果, BFZO薄膜は巨視的には多結晶であるものの,大きく粒成長したSTO上にBFZO薄膜が部分的にエピタキシャル成長していることがわかった.これにより,格子歪みが導入され, Fe^<4+>成分が増大し,結果として飽和磁化の値がSi基板直上に製膜した多結晶BFZO薄膜の磁化率よりも3倍程度大きくなった.
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