研究課題
基盤研究(C)
ショットキー欠陥またはフレンケル欠陥をMg_2SiSn系熱電半導体に導入すると、欠陥によって伝導型が変化した。その原因はMg原子サイトの格子欠損によるショットキー欠陥によって正孔が、また格子間原子としてのフレンケル欠陥では電子が生成されるためである。粒界欠陥では電子のトラップ準位が形成され、電子濃度が著しく減.するために正孔が支配的となり、p型伝導となる。これらの欠陥制御によるキャリア濃度制御は可能であることがわかった。欠陥制御と組成制御によってp型Mg_2SiSnの性能は約3倍向上した。
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