| 研究課題/領域番号 |
21560748
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 長崎大学 |
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研究代表者 |
大貝 猛 長崎大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60253481)
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| 連携研究者 |
香川 明男 長崎大学, 工学研究科, 教授 (00093401)
高尾 慶蔵 長崎大学, 工学研究科, 技術職員 (90380823)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | めっきプロセス / 電析 / 半導体材料 / 太陽電池 / めっき / 薄膜 / ワイドバンドギャップ / 亜鉛 / テルル / ナノワイヤー / メンプレンフィルター / メンブレンフィルター |
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| 研究概要 |
酸性水溶液からの電析法によりZnTe系化合物半導体が合成された。陰極電位-0. 8Vで電析されたZnTeの組成は化学量論組成に近く、Znの平衡電位より貴な、陰極電位-0. 8Vを最適電析条件とした。ZnTe単相試料の紫外可視吸光スペクトル測定により、約550nmより短波長領域での光吸収が確認され、バンドギャップエネルギー値が2. 13eVとなることが推定された。非晶質ZnTeの電気抵抗は約10^6Ωmであったが、683Kで焼鈍した電析ZnTeの電気抵抗は約10^4Ωmであり、単結晶ZnTeの値に近くなった。
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