| 研究課題/領域番号 |
21560765
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
江坂 文孝 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力基礎工学研究部門, 研究主幹 (40354865)
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| 研究分担者 |
山本 博之 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (30354822)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 構造解析 / 化学状態 / X線 / 電子分光 / 表面 |
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| 研究概要 |
放射光から得られるX線を利用した励起エネルギー可変の光電子分光により、鉄シリサイド薄膜、単結晶、ホモエピタキシャル成長膜の表面の深さ方向分析を行った。その結果、各試料の表面には、自然酸化膜として約1nmのシリコン酸化膜が生成することが示された。また、成膜時の基板温度の違いによりホモエピタキシャル成長膜の化学状態に違いが見られ、均質な膜を得るためには、成膜時の温度の制御が重要であることが示された。
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