| 研究課題/領域番号 |
21560774
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属生産工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
小林 清 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端材料プロセスユニット, 主任研究員 (90357020)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 酸素イオン伝導体 / オキシアパタイト / ランタンシリコン酸化物 / イオンブロッキング / Hebb-Wagnerセル / 電子伝導度 / Wagner理論 / 非定常時間緩和 / 酸化物イオン伝導体 / Hebb-Wanerセル / 酸化物イオン輸率 / イオン伝導度 / 酸素濃淡電池 / 電気化学交流インピーダンス / 固体電解質 / 低温焼結性 |
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| 研究概要 |
新規酸素イオン伝導体であるアパタイト型ランタン・シリコン酸化物の高温電気輸送特性と欠陥化学モデル計算から、イオン伝導特性に影響を与える逆フレンケル欠陥平衡について検討した。アパタイト型ランタン・シリコン酸化物は理想的な固体電解質で有ることが明らかになった。またランタンの一部をネオジウムに置換すると電子伝導の影響が現れたことから、古典的な欠陥平衡理論のみでは理解が困難であることも明らかになった。
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