| 研究課題/領域番号 |
21560803
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
触媒・資源化学プロセス
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| 研究機関 | 埼玉工業大学 |
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研究代表者 |
有谷 博文 埼玉工業大学, 工学部, 准教授 (40303929)
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| 連携研究者 |
田中 庸裕 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70201621)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 天然ガス石油資源化 / メタン / 脱水素芳香族化 / モリブデン触媒 / H-MFI / Mo/H-MFI / 天然ガス / GTL技術 / Mo L殼XANES / MoL殻XANES / 高耐久化 / メタロシリケート / Mo / Mo L殻XANES |
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| 研究概要 |
水熱合成法により調製したH-MFIおよびGa格子置換H-MFIメタロシリケートへのMoO_3修飾触媒を用いたメタン脱水素芳香族化活性の経時変化追跡による活性評価、とくに高活性化および失活抑制のための条件を検討した。その結果、triethoxyvinylsilaneを用いたMo(5wt%)/H-MFIへのシリル化は、700℃での本反応に初期活性の低下を与えるものの、経時失活の抑制による高耐久化を与え、芳香族化収率の増大を与えることがわかった。一方、Ga格子置換MFIを担体としたMo/H-GaMFI触媒では高濃度Ga含有で低活性を示したのに対し、Ga含有量の低下に従い活性の増大および経時失活の乏しい良好な高活性傾向が顕著であった。本触媒の活性化にはMFI酸点の制御、過剰の酸強度の抑制が不可欠であり、とくに外表面の強酸点の抑制効果が極めて重要であることが総括された。
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