研究課題
基盤研究(C)
ハフニウム水素化物において新たに見つかった400K付近での相転移では水素吸脱着による同位体分離は困難であることがわかった。一方、900Kからの水素脱着を使うことで、軽水素ガス(H_2)、重水素ガス(D_2)、軽水素-重水素ガス(HD)の生成が出来ることがわかった。その際に用いるハフニウムの形状としては薄板状のものがよいこともわかった。
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