| 研究課題/領域番号 |
21590040
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物理系薬学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
大澤 匡範 東京大学, 大学院・薬学系研究科, 助教 (60361606)
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| 研究分担者 |
嶋田 一夫 東京大学, 大学院・薬学系研究科, 教授 (70196476)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 構造生物学 / 電位依存性イオンチャネル / 電位センサードメイン / gating modifier toxin / 分子認識様式 / イオンチャネル / NMR / イオンゲート |
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| 研究概要 |
電位依存性イオンチャネルは、膜電位を感受する電位センサードメイン(VSD)とイオン透過路を有するポアドメイン(PD)からなる。本研究では、VSD中の2残基をシステイン(Cys)に置換した変異体を用いて、どの部位のCys同士間にジスルフィド(SS)結合が形成されるかを調べ、膜電位依存的なVSDの構造変化様式を明らかにした。また、VSDと、阻害毒素との結合様式をNMRにより明らかにし、毒素がVSDに作用しPDにおける電流を阻害する機構を解明した。
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