| 研究課題/領域番号 |
21654084
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
畠山 力三 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00108474)
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| 研究分担者 |
金子 俊郎 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (30312599)
加藤 俊顕 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (20502082)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,210千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2009年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | プラズマ応用 / グラフェン / ソフトプラズマ / ドーピング / バンドギャップ / 電界効果トランジスタ |
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| 研究概要 |
シリコン基板上への高品質グラフェン直接合成法を開発することに成功した. 拡散プラズマを利用して, シリコン基板表面に薄膜状に堆積させたニッケル内部の炭素拡散を促進させることで, ニッケルとシリコン基板界面に高品質グラフェンを直接合成することを実現した. また, 同様の拡散プラズマを利用することで, グラフェンエッジのみに選択的に窒素原子をドーピングすることに成功した. これにより, グラフェンの電気伝導特性をp型からn型に自在に制御する手法を確立した
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