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フレキシブル半導体上におけるスピン機能創出とトランジスタ応用

研究課題

研究課題/領域番号 21656005
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関九州大学

研究代表者

宮尾 正信  九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 特任教授 (60315132)

研究分担者 佐道 泰造  九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
研究期間 (年度) 2009 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
3,410千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
2009年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
キーワードフレキシブル / スピントランジスタ / 電子デバイス・機器 / 集積回路 / ディスプレイ / 強磁性体
研究概要

本研究では、フレキシブル半導体(擬似単結晶SiGe/フレキシブル基板)をベースとしたスピントランジスタの創製を目指し、その基盤技術を構築した。まず、Auを用いた金属触媒成長法を開発し、結晶方位が揃いかつ大粒径(~100μm)を有するSiGe結晶を低温熱処理(≦350℃)にて実現した。さらに、強磁性ホイスラー合金/SiGe構造の磁気及び電気特性を解明すると共にスピン機能を実証した。

報告書

(4件)
  • 2011 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (36件)

すべて 2012 2011 2010 2009

すべて 雑誌論文 (18件) (うち査読あり 18件) 学会発表 (18件)

  • [雑誌論文] "Low temperature(1~ 250oC) layer exchange crystallization of Si1? xGex(x=1? 0) on insulator for advanced flexible devices2012

    • 著者名/発表者名
      Jong-Hyeok Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.520 ページ: 3293-3295

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low temperature (~250℃) layer exchange crystallization of Si_<1-x>Ge_x(x1-0) on insulator for advanced flexible devices2012

    • 著者名/発表者名
      J.Park, et al
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 520 ページ: 3293-3295

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Au-Induced Low-Temperature(~ 250oC) Crystallization of Si on Insulator Through Layer-Exchange Process2011

    • 著者名/発表者名
      Jong-Hyeok Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: Vol.14, No.6 ページ: 232-234

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-Temperature(~ 250oC) Cu-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Ge on Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: Vol.14, No.7 ページ: 274-276

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Au-Catalyst Induced Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization for SiGe On Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      ページ: 39-42

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-temperature(. 250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique2010

    • 著者名/発表者名
      J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      Proceedings of TENCON 2010-2010 IEEE Region 10 Conference

      ページ: 2196-2198

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] "Highly ordered Co2FeSi Heusler alloys grown on Ge(111) by low-temperature molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K. Kasahara, K. Yamamoto, S. Yamada, T. Murakami, K. Hamaya, K. Mibu, and M. Miyao
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: Vol.107, No.9

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Comparison of Nonlocal and Local Magnetoresistance Signals in Laterally Fabricated Fe3Si/Si Spin-Valve Devices2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, K. Kasahara, K. Yamane, K. Hamaya, K. Sawano, T. Kimura, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: Vol.3, No

    • NAID

      210000014783

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-quality epitaxial CoFe/Si(111) heterostructures fabricated by low-temperature molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Maeda, K. Hamaya, S. Yamada, Y. Ando, K. Yamane, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.97, No.19

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Highly ordered Co2FeSi Heusler alloys grown on Ge(111) by low-temperature molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Kasahara, et al.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 107

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Comparison of Nonlocal and Local Magnetoresistance Signals in Laterally Fabricated Fe3Si/Si Spin-Valve Devices2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ando, et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-quality epitaxial CoFe/Si(111) heterostructures fabricated by low-temperature molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Maeda, et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics letters

      巻: 97

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in silicon through an Fe3Si/Si Schottky tunnel barrier2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, Y. Kishi, K. Ueda, K. Sawano, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.94, No.18

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ferromagnetism and Electronic Structures of Nonstoichiometric Heusler-Alloy Fe3-xMnxSi Epilayers Grown on Ge(111)2009

    • 著者名/発表者名
      K. Hamaya, H. Itoh, O. Nakatsuka, K. Ueda, K. Yamamoto, M. Itakura, T. Taniyama, T. Ono, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Lett

      巻: Vol.102, No.13

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] "Magnetic properties of epitaxially grown Fe3Si/Ge(111) layers with atomically flat heterointerfaces2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, K. Ueda, Y. Nozaki, T. Sadoh, Y. Maeda, . K. Matsuyama, and M. Miyao
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: Vol.105, No.7

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in silicon through an Fe3Si/Si Schottky tunnel barrier2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ando, et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 94

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ferromagnetism and Electronic structures of Nonstoichiometric Heusler- Alloy Fe3-xMnxSi Epilayers Grown on Ge(111)2009

    • 著者名/発表者名
      K.Hamaya, et al.
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 102

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Magnetic properties of epitaxially grown Fe3Si/Ge(111)layers with atomically flat heterointerfaces2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ando, et al.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 105

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] A u誘起層交換成長法による大粒径G e(1 1 1)結晶/絶縁膜の形成:界面酸化膜挿入効果2012

    • 著者名/発表者名
      朴鍾.,鈴木恒晴,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Low-temperature (~250oC) Crystallization of Poly-SiGe Films by Gold-Induced Layer-Exchange Technique for Flexible Electronics2011

    • 著者名/発表者名
      J.Park, et al
    • 学会等名
      AWAD 2011
    • 発表場所
      Daejeon, Korea
    • 年月日
      2011-06-29
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] "Lateral-liquid phase epitaxy of(101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      219th ECS Meeting, The Electrochemical Society, Montreal
    • 発表場所
      Canada
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Au-catalyst Induced Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization for SiGe On Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      J. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      219th ECS Meeting, The Electrochemical Society, Montreal
    • 発表場所
      Canada
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Low-Temperature Formation of(111) Si1-xGex(0<x<1) on Insulator by Al-Induced Crystallization2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      AWAD2011, 2011 Asia Pacific Workshop on Fundametals and Applications of advanced semiconductor devices
    • 発表場所
      Daejeon, Korea
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Low-temperature(~ 250oC) Crystallization of Poly-SiGe Films by Gold-Induced Layer-Exchange Technique for Flexible Electronics2011

    • 著者名/発表者名
      J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, T. Sadoh
    • 学会等名
      AWAD2011, 2011 Asia Pacific Workshop on Fundametals and Applications of advanced semiconductor devices
    • 発表場所
      Daejeon, Korea
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] "Single-crystalline(110)-oriented Ge strips on insulating substrates by SiGe-mixing triggered rapid-melting-growth from artificial Si-micro-seeds2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh and M. Miyao
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex(x=1-0) on Insulator for Advanced Flexible Devices2011

    • 著者名/発表者名
      Jong-Hyeok Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 次世代フレキシブルデバイスの為の多結晶Si1-xGex(x=0-1)/絶縁膜の極低温層交換成長(~ 250oC)2011

    • 著者名/発表者名
      朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      川工科大学
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] フレキシブルデバイス実現に向けたSi及びGe結晶/絶縁膜の極低温成長(~ 250oC)2011

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造,黒澤昌志,川畑直之,朴鍾.,都甲薫,宮尾正信
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Low-temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide for SiGe Based Spintransistors2010

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Hamaya
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2010-06-30
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Low-temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide for SiGe Based Spintransistors2010

    • 著者名/発表者名
      M.Miyao, et al.
    • 学会等名
      AWAD2010
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-06-30
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] "Low-temperature(. 250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique2010

    • 著者名/発表者名
      J. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Gold-Induced Crystallization of Si at Low-Temperature(. 250oC) for Flexible Electronics2010

    • 著者名/発表者名
      J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      Nanotech Malaysia 2010 : Conference on Enabling Science and Nanotechnology
    • 発表場所
      Kuala Lumpur, Malaysia
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Al誘起層交換法によるSiGe結晶の配向成長機構2010

    • 著者名/発表者名
      川畑直之,黒澤昌志,朴鍾.,佐道泰造,宮尾正信
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(~ 250oC)2010

    • 著者名/発表者名
      朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Atomically Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for SiGe Based Spintronics2009

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Hamaya, K. Kasahara, S. Yamada and K. Sawano
    • 発表場所
      Spain
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Atomically Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for SiGe Based Spintronics2009

    • 著者名/発表者名
      M.Miyao, et al.
    • 学会等名
      SiNEP-09
    • 発表場所
      スペイン・ビゴー
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

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公開日: 2009-04-01   更新日: 2016-04-21  

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