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量子ドットのサブバンド間遷移に基づく超高速面型光ゲートデバイスの実現

研究課題

研究課題/領域番号 21656083
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関神戸大学

研究代表者

和田 修  神戸大学, 連携創造本部, 客員教授 (90335422)

研究期間 (年度) 2009 – 2010
研究課題ステータス 完了 (2010年度)
配分額 *注記
3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
2010年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
2009年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
キーワード量子ドット / 光スイッチ / 面型光デバイス / サブバンド間遷移 / 超高速光非線形
研究概要

将来の光信号処理に必要となる100Gb/sから1Tb/s級の超高速化に向けて、基本素子となる超高速全光学型ゲート機能デバイスの実現が必須である。特に,光実装が簡単で、超大容量・多チャネル化にも対応できる、面型構造光ゲートデバイスの実現が急務である。本研究は、量子ドットと1次元フォフォトニック結晶とを組み合わせて非線形性の増強を行って、高効率、かつ面型構造を有する光ゲートデバイスを実現することを目的とする。本年度は、最適化した量子ドット光スイッチ素子の製作と新しい非線形評価システムによる特性評価を進め、以下の成果を得た。
(1)光スイッチの設計では、電子第1励起準位が1.3μm付近の長波長領域に対応する量子ドットを用い、また、この励起準位と基底準位との間のサブバンド間遷移に基づく超高速緩和を利用することとした。さらに、出力の最大化のために最適化を行った多層膜共振器構造(16/30周期)を採用した面型光スイッチを製作した。
(2)このデバイスの応答特性をポンプ・プローブ法により測定し、1.24μmの波長で、20psの超高速応答と、2.5fJ/μm^2の低スイッチングエネルギーを観測した。
(3)量子ドットの非線形性の評価を深めるために、マッハツェンダー干渉計配置を持つ位相変化測定系を構築し、デバイスの光励起時における位相変化量特性の詳細な評価を行った。その結果、励起エネルギー0.2fJ/μm^2における位相変化として18゜を観測した。これは面型光スイッチにおける充分大きい位相変化の検出に初めて成功したものであり、同時に量子ドット面型光スイッチが、さらなる超高速・低エネルギーの光ゲート動作に向けて有効なマッハツェンダー型光スイッチの製作に適用出来ることを実証したものである。
以上により、量子ドット面型全光スイッチデバイスの基本動作を実証するとともに、さらなる超高速・低エネルギーの光ゲート動作の実現可能性を明らかにした。

報告書

(2件)
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (6件)

すべて 2011 2010

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (3件)

  • [雑誌論文] Progresses in Semiconductor-Based Ultrafast Signal Processing Devices for Green Photonics2011

    • 著者名/発表者名
      Osamu Wada
    • 雑誌名

      IEEE Journal Selected Topics of Quantum Electronics

      巻: 17(Web版掲載済)

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temperature-Dependent Carrier Tunnelling for Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots Using GaAsN Quantum well Injector2010

    • 著者名/発表者名
      C.Y.Jin, S.Ohta, M.Hopkinson, O.Kojima, T.Kita, O.Wada
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 96

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書 2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Detailed design and characterization of all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a vertical cavity2010

    • 著者名/発表者名
      C.Y.Jin, O.Kojima, T.Inoue, T.Kita, O.Wada, M.Hopkinson, K.Akahane
    • 雑誌名

      IEEE J.Quantum Electron.

      巻: 46 ページ: 1582-1589

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書 2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 半導体光デバイス技術のイノベーション2011

    • 著者名/発表者名
      和田修
    • 学会等名
      第5回フロンティア研究センターシンポジウム「日亜寄付講座研究成果報告会」
    • 発表場所
      徳島大学(徳島県)(招待講演)
    • 年月日
      2011-02-10
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] A Tunnel Injection Structure for Speeding up Carrier Dynamics in IaAs/GaAs Quantum Dots Usine a GaNAs Quantum-Well Injector2010

    • 著者名/発表者名
      C.Y.Jin, S.Ohta, M.Hopkinson, O.Kojima, T.Kita, O.Wada
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      University of Tokyo, (Tokyo)
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] A Tunnel Injection Structure for Speeding up Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots Using a GaNAs Quantum-Well Injector2010

    • 著者名/発表者名
      C.Y.Jin, S.Ohta, M.Hopkinson, O.Kojima, T.Kita, O.Wada
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      University of Tokyo, Tokyo
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

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公開日: 2009-04-01   更新日: 2016-04-21  

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