| 研究課題/領域番号 |
21656087
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
金森 義明 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10333858)
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| 連携研究者 |
羽根 一博 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50164893)
胡 芳仁 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (50396545)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,270千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
2009年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
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| キーワード | 光デバイス / 光回路 / シリコンフォトニクス |
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| 研究概要 |
水素アニール処理における, 処理条件依存性を定量的に評価した。また空間周波数解析により, 短周期の凹凸成分ほど平坦化されることを明らかにした。
Silicon on Insulator (SOI)基板から製作した, 櫛歯静電アクチュエータとSi細線導波路を水素アニール処理した。アニール温度を900度程度に下げることで, 微細構造の形状を維持したまま, 側壁の凹凸を除去することができた。
リング共振器を櫛歯静電アクチュエータで可動させる微小共振器を製作し、水素アニール処理による側壁荒れの低減を達成した。
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