研究課題
若手研究(A)
Si基板上へのGeナノドット配列技術を開発した。極薄Si酸化膜技術を用いて形成したナノドットを種結晶とすることで、極少転位薄膜のヘテロエピタキシャル成長技術開発を行い(ナノコクトエピタキシー)、高品質Ge/ Si薄膜、GaSb/ Si薄膜のエピタキシャル成長に成功した。この手法により成長したGe/ Si(001)薄膜は、100nm程度の薄さにおいて、表面ラフネスが0. 4nm程度、エッチピット密度が10^4-10^5cm^<-2>という高品質な薄膜であり、格子不整合歪は、ナノドットの弾性歪緩和効果によりほぼ完全に緩和していることを確認した。
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