| 研究課題/領域番号 |
21710142
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
長井 拓郎 独立行政法人物質・材料研究機構, 電子顕微鏡クラスター, 主任エンジニア (90531567)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 強磁性ナノワイヤ / ボルテックス磁壁 / トランスバース磁壁 / カイラリティ制御 / 強相関電子系 / スピントロニクス / ローレンツ電子顕微鏡法 |
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| 研究概要 |
強相関強磁性ペロブスカイト型マンガン酸化物のナノワイヤを作製して磁場印加その場ローレンツ電顕実験を行い、外部磁場による磁壁内磁化分布のカイラリティの制御を試みた。ボルテックス磁壁のカイラリティは、交流消磁における外部磁場方向のワイヤ長手方向に対する相対角度により制御されることを見出した。また、同一ピンニングサイトにおけるトランスバース磁壁のカイラリティは、磁壁の両側の磁区の磁化配置の反転に伴って反転することを明らかにした。
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