| 研究課題/領域番号 |
21710143
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
松本 哲朗 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 産総研特別研究員 (50450672)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2009年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | ナノSQUID / 弱結合 / ジョセフソン接合 / 磁気センサー / nano-SQUID / SQUID / 微細化 / nanoSQUID |
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| 研究概要 |
3次元磁気センサーに用いることを目的として、極低温(～1K)、および、1T程度の強磁場下において使用可能なnano-SQUIDの作製プロセスを開発した。本プロセスでは、nano-SQUIDの臨界電流値を制御性良く作製することを可能とした。また、これらのnano-SQUIDはヒステリシスのないI-V特性を示した。本研究で開発したnano-SQUIDの作製プロセスは、高い素子設計の自由度を有するので、温度や印加磁場などの外部環境や、測定方法に応じて、それぞれの用途に最適化したnano-SQUID の作製に役立つと考えられる。
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