研究概要 |
半導体の光励起状態(電子-正孔系)における金属-絶縁体転移(励起子モット転移)や量子凝縮転移は基礎・応用の両面から非常に重要である.このような相転移現象を理論的に正しく理解するためには多体相関効果を適切に取り扱う必要がある.本研究では,動的平均場理論(DMFT)を拡張した方法により,この系の励起子モット転移を理論的に研究した. DMFTは格子フェルミオン系を解析する強力な手法であるが,電子正孔系は励起粒子数が少ないため,格子模型ではなく連続模型による記述が適している.そこで連続模型に対するDMFTを定式化し,厳密対角化法を組み合わせることにより低密度電子正孔系の相図を決定した.
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