配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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研究概要 |
本研究では圧力下でグラフェンと同様の線形分散を持つディラック電子系が実現している有機導体α-(BEDT-TTF)_2I_3 の圧力下比熱測定を行い,ディラック電子の示す特異な比熱の振る舞いを明らかにした.低温での温度依存性はおよそ∝T^2 となり,磁場依存性は磁場とともに増加した後減少に転じ,その後飽和することが分かった.これらの振る舞いは線形分散に加えディラック電子系特有のゼロモード(ランダウ指数N=0のランダウ準位)とそのスピン分離を仮定するとうまく解釈でき,報告されている磁気抵抗の結果とも非常に良く対応している.
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