| 研究課題/領域番号 |
21750011
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物理化学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
中西 周次 東京大学, 先端科学技術研究センター, 特任准教授 (40333447)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 結晶成長 / 表面界面物性 / 薄膜形成 / 電気化学 / 界面エネルギー / 赤外分光 |
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| 研究概要 |
本研究では絶縁性のガラス基板およびシリコン基板を銀や銅などの金属で電気化学的にコーティングすることに成功した。電析薄膜の成長モードを電気化学的手法で解析した結果、成長中の電析薄膜の表面自由エネルギー、ひいては金属アドアトムの密度の大小に応じて、絶縁性基板コーティングの成否が決定づけられることが分かった。その分子メカニズムをより詳細に知るために、原子間力顕微鏡および多重反射赤外分光法を用いて、シリコン基板上への銅薄膜形成過程を追跡した。
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